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電極箔檢測

2025-06-11 關鍵詞:電極箔測試標準,電極箔測試周期,電極箔測試儀器 相關:
電極箔檢測

電極箔檢測摘要:電極箔檢測聚焦鋁電解電容器用高純鋁箔材料的技術評價,核心檢測對象涵蓋腐蝕擴面箔、陽極氧化膜及表面處理層。關鍵項目包括比容值(CV)、氧化膜耐壓性(WV)、隧道孔結構參數(shù)及表面成分分析,通過量化蝕坑密度、氧化膜致密性及雜質元素含量等指標,確保電極箔的介電性能、機械強度和長期可靠性符合電子元器件應用需求。

參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。

注意:因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

物理性能檢測:

  • 厚度均勻性:厚度偏差≤±3%(GB/T22638.2)
  • 抗拉強度:縱向≥100MPa,橫向≥95MPa(ISO6892-1)
  • 延伸率:縱向≥3%,橫向≥2.5%
表面形貌檢測:
  • 隧道孔密度:8000-15000孔/cm2(SEM觀測法)
  • 蝕坑深寬比:1.5-2.2(激光共聚焦顯微鏡)
  • 表面粗糙度:Ra0.8-1.5μm(ISO4287)
電化學性能檢測:
  • 比容量(CV值):≥0.75μF/cm2@50Hz(JISC5141)
  • 擊穿電壓(WV):≥680V(GB/T22638.5)
  • 漏電流:≤0.5μA/cm2@WV×0.8(IEC60384-4)
氧化膜特性檢測:
  • 氧化膜厚度:0.8-1.2μm(橢圓偏振法)
  • 介電常數(shù):ε≥8.5@1kHz(ASTMD150)
  • 氧化膜密度:≥3.1g/cm3(X射線反射法)
化學成分檢測:
  • 基體純度:Al≥99.99wt%(GB/T20975.25)
  • 痕量元素:Fe≤50ppm,Cu≤20ppm(ICP-OES)
  • 表面處理元素:P含量0.5-1.2μg/cm2(XPS分析)
腐蝕結構檢測:
  • 隧道孔貫通率:≥98%(截面TEM)
  • 腐蝕因子:3.0-4.5倍(質量法測算)
  • 枝晶分布:枝晶長度≤15μm(金相法)
熱穩(wěn)定性檢測:
  • 熱收縮率:≤0.3%@150℃×30min(GB/T22638.8)
  • 高溫漏電:≤2.0μA/cm2@125℃(IEC60384-4)
界面特性檢測:
  • 粘結強度:≥1.5N/mm(180°剝離法)
  • 界面阻抗:≤50mΩ·cm2(EIS測試)
環(huán)境適應性檢測:
  • 鹽霧耐蝕:≥48h無點蝕(GB/T10125)
  • 濕熱老化:CV衰減率≤5%@85℃/85%RH×1000h
微觀結構檢測:
  • 晶粒尺寸:30-50μm(EBSD分析)
  • 取向分布:立方織構≥95%(XRD極圖法)

檢測范圍

1.高壓陽極箔:工作電壓≥500V,重點檢測氧化膜結晶度及隧道孔垂直度

2.低壓腐蝕箔:CV值0.4-0.7μF/cm2,側重蝕坑均勻性及殘留酸根檢測

3.陰極電子鋁箔:厚度30-50μm,核心檢測表面碳含量及復合層附著力

4.軟態(tài)退火箔:硬度HV≤25,主要評估再結晶度及表面潤滑劑殘留

5.硬質光箔:抗拉強度≥150MPa,重點控制晶界雜質偏析及板形平整度

6.磷酸處理箔:表面P含量0.3-1.0μg/cm2,檢測處理層覆蓋率及耐水解性

7.鈦復合電極箔:鈦層厚度0.05-0.2μm,側重界面擴散層分析及接觸電阻

8.有機涂層箔:涂布量1.5-3.5g/m2,核心檢測涂層固化度及介電損耗

9.納米復合箔:添加劑分散粒徑≤100nm,重點評估分散均勻性及阻抗特性

10.再生鋁電極箔:雜質總量≤0.03wt%,嚴格監(jiān)控銅鋅遷移率及循環(huán)壽命

檢測方法

國際標準:

  • IEC60384-4鋁電解電容器分規(guī)范
  • JISH4160鋁及鋁合金箔
  • ASTMB487金屬氧化物涂層厚度測量
  • ISO17475電化學阻抗譜(EIS)法
國家標準:
  • GB/T22638鋁箔試驗方法系列標準
  • GB/T3615電解電容器用鋁箔
  • GB/T24525金屬表面磷化膜檢測
  • SJ/TJianCe83電極箔電性能測試規(guī)程
方法差異說明:GB/T22638.5與JISC5141在CV測試中采用不同頻率(50Hzvs120Hz);ISO17475規(guī)定EIS測試需在氮氣環(huán)境下進行,而SJ/TJianCe83允許空氣環(huán)境測試

檢測設備

1.自動CV測試儀:HIOKIIM3590型(頻率范圍4Hz-200kHz,精度±0.05%)

2.場發(fā)射掃描電鏡:ZEISSGemini500(分辨率0.8nm@15kV,ETD探測器)

3.原子力顯微鏡:BrukerDimensionIcon(掃描范圍90μm,分辨率0.2nm)

4.電化學工作站:GamryInterface1010E(電流分辨率<10pA,電位范圍±32V)

5.高頻阻抗分析儀:KeysightE4990A(頻率范圍20Hz-120MHz,基本精度0.045%)

6.X射線光電子能譜儀:ThermoScientificK-Alpha+(能量分辨率<0.5eV,檢出限0.1at%)

7.電感耦合等離子體光譜儀:PerkinElmerAvio550(軸向觀測,檢出限ppb級)

8.臺階儀:KLA-TencorP-7(縱向分辨率0.1?,掃描速度10mm/s)

9.激光共聚焦顯微鏡:OlympusLEXTOLS5000(橫向分辨率120nm,Z軸重復性1nm)

10.熱機械分析儀:NETZSCHTMA402F3(溫度范圍-150℃-1000℃,分辨率0.1nm)

11.同步熱分析儀:MettlerToledoTGA/DSC3+(稱重精度0.1μg,升溫速率0.01-300K/min)

12.電子背散射衍射儀:EDAXVelocitySuperEBSD(采集速度>4000點/秒,分辨率0.1μm)

13.多功能材料試驗機:Instron5967(載荷范圍0.02-30kN,應變速率0.0005-1000mm/min)

14.氦質譜檢漏儀:PfeifferVacuumASM390(漏率檢測下限5×10ˉ13mbar·L/s)

15.X射線衍射儀:BrukerD8Advance(2θ角度范圍-110°-168°,分辨率<0.0001°)

北京中科光析科學技術研究所【簡稱:中析研究所】

報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期:7~15工作日,可加急。

資質:旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試:支持定制化試驗方案。

售后:報告終身可查,工程師1v1服務。

中析儀器 資質

中析電極箔檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師

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