參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

表面形貌分析：

• 表面粗糙度：Ra值（≤0.1μm，參照ISO4287）
• 顆粒尺寸分布：D50值、粒徑標(biāo)準(zhǔn)差（≤5%）
• 裂紋長度：檢測下限100nm（參照ASTME112）

• 元素組成：原子百分比（檢測限≤0.1wt%）
• 元素分布映射：空間分辨率≤1.0nm
• 合金偏差分析：元素含量偏差±0.05wt%

• 晶粒尺寸：平均粒徑（范圍0.5-500μm）
• 晶體取向：EBSD角度分辨率≤0.5°（參照ISO24173）
• 晶界類型：晶界角度誤差±1°

• 孔隙率：孔徑分布（孔徑范圍10nm-100μm）
• 裂紋密度：單位面積缺陷數(shù)（精度±5%）
• 夾雜物評級：尺寸≥500nm（參照ASTME45）

• 涂層厚度：測量精度±10nm
• 界面結(jié)合強(qiáng)度：結(jié)合力≥10MPa
• 薄膜均勻性：厚度偏差≤5%

• 納米顆粒形貌：粒徑測量精度±2nm
• 納米線直徑：范圍5-200nm（標(biāo)準(zhǔn)差≤3%）
• 表面粗糙度：Sa值≤2nm

• 細(xì)胞形態(tài)：分辨率≤5nm
• 組織三維結(jié)構(gòu)：重建精度≥95%
• 礦化程度：鈣磷比誤差±0.1

• 腐蝕產(chǎn)物成分：元素識別限≤0.5wt%
• 磨損表面形貌：磨損深度范圍10nm-1mm
• 腐蝕坑密度：單位面積計數(shù)（精度±3%）

• 纖維直徑：平均直徑（范圍100nm-100μm）
• 界面結(jié)合狀態(tài)：結(jié)合強(qiáng)度≥20MPa（參照ISO527）
• 增強(qiáng)相分布：體積分?jǐn)?shù)精度±2%

• 礦物微結(jié)構(gòu)：晶粒尺寸≥1μm
• 元素面分布：掃描步長≤100nm
• 孔隙連通性：連通率測量誤差±3%

檢測范圍

1.金屬合金：包括鋁合金、鈦合金等鐵基和非鐵基材料，重點(diǎn)檢測晶界偏析、疲勞裂紋和熱處理后組織演變。

2.陶瓷材料：涵蓋氧化鋁、碳化硅等高性能陶瓷，側(cè)重晶粒生長、氣孔分布和燒結(jié)缺陷分析。

3.聚合物材料：如聚乙烯、聚碳酸酯等塑料，關(guān)注表面形貌、分子取向和降解機(jī)制評估。

4.半導(dǎo)體材料：硅晶圓、砷化鎵等電子器件，檢測表面缺陷、摻雜均勻性和界面污染。

5.復(fù)合材料：碳纖維增強(qiáng)聚合物等結(jié)構(gòu)材料，分析纖維分布、界面結(jié)合和損傷演化。

6.生物材料：骨骼、牙齒等硬組織，觀測細(xì)胞結(jié)構(gòu)、礦化程度和組織再生機(jī)制。

7.納米材料：納米顆粒、納米管等功能材料，表征尺寸分布、表面形貌和團(tuán)聚效應(yīng)。

8.涂層材料：熱障涂層、防腐涂層等表面工程，評估厚度均勻性、缺陷密度和服役壽命。

9.地質(zhì)樣品：礦物、巖石等地學(xué)標(biāo)本，分析微結(jié)構(gòu)、元素成分和孔隙網(wǎng)絡(luò)。

10.失效分析樣品：斷口、磨損表面等失效部件，識別裂紋起源、擴(kuò)展路徑和失效模式。

檢測方法

國際標(biāo)準(zhǔn)：

• ISO16700:2015掃描電子顯微鏡操作規(guī)范（分辨率校準(zhǔn)要求≤1.0nm）
• ASTME1558-08掃描電鏡圖像分析指南（元素映射精度標(biāo)準(zhǔn)）
• ISO24173:2009電子背散射衍射測試方法（晶體取向角誤差≤0.5°）

• GB/T16594-2008掃描電子顯微鏡測試方法（樣品制備規(guī)范更嚴(yán)格）
• GB/T23413-2009納米級長度測量掃描電鏡法（測量范圍擴(kuò)展至1nm）
• GB/T18876.2-2020掃描電鏡能譜分析方法（元素檢測限要求≤0.2wt%）

檢測設(shè)備

1.場發(fā)射掃描電鏡：FEIQuanta650型（分辨率0.8nm，加速電壓0.5-30kV）

2.能譜儀：OxfordInstrumentsX-Max80型（元素檢測限0.1wt%，能量分辨率122eV）

3.電子背散射衍射系統(tǒng)：EDAXHikariEBSD型（角度分辨率0.1°，掃描速度300點(diǎn)/秒）

4.聚焦離子束系統(tǒng)：TescanGAIA3型（離子束電流1pA-100nA，加工精度±5nm）

5.樣品制備設(shè)備：LeicaEMACE600型（濺射鍍膜厚度控制±5nm，真空度10-5Torr）

6.低溫樣品臺：OxfordInstrumentsCT5000型（溫度范圍-196°C至100°C，控溫精度±0.1°C）

7.環(huán)境掃描電鏡：FEIXL30ESEM型（氣壓范圍10-2600Pa，濕度控制±1%）

8.納米操作儀：KleindiekMM3A型（定位精度1nm，力傳感范圍0.1-100nN）

9.三維重構(gòu)軟件：AvizoFire系統(tǒng)（重構(gòu)精度99%，圖像層厚10nm）

10.圖像分析軟件：ImageJwithSEM插件（測量誤差≤1%，兼容多種格式）

11.高分辨率探測器：GatanMonoCL4型（光譜分辨率0.1nm，波段范圍300-900nm）

12.真空系統(tǒng)：EdwardsTurboPump型（真空度10-7Torr，抽速500L/s）

13.電子槍：Schottky場發(fā)射源型（亮度>1000nA/sr，壽命>2000小時）

14.樣品臺：5軸電動樣品臺型（移動精度±1μm，行程范圍100mm）

15.能譜校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)：Micro-AnalysisConsultantsMAS-1型（多元素校準(zhǔn)，均勻性誤差±0.5%）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)