電子元器件抗硫化試驗摘要:電子元器件抗硫化試驗專注于評估器件在含硫環(huán)境下的性能退化機制,核心檢測對象包括集成電路、電阻器、電容器等半導(dǎo)體元件。關(guān)鍵項目涵蓋電阻漂移率(±5%基準)、絕緣電阻衰減(≥10^12Ω閾值)、腐蝕深度(μm級量化)及機械強度保持(如抗拉強度≥100MPa)。試驗通過模擬硫化氫(H?S)環(huán)境(濃度10~100ppm),監(jiān)測電學(xué)參數(shù)變化、材料失效模式,確保器件在工業(yè)應(yīng)用中的長期可靠性。
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
電氣性能測試:
1.電阻器:薄膜與厚膜類型,檢測硫化引起的電阻漂移(±5%上限)及端子腐蝕
2.電容器:陶瓷與電解電容,重點監(jiān)測電容值衰減(≤10%)和泄漏電流(≤1μA)
3.集成電路:CMOS與Bipolar芯片,評估引腳腐蝕深度(≤10μm)及功能失效閾值
4.連接器:金或錫鍍層端子,測試接觸電阻變化(±5mΩ)和機械耐久性
5.晶體管:MOSFET與BJT器件,側(cè)重電流增益漂移(≤5%)和熱穩(wěn)定性
6.傳感器:氣體與溫度傳感器,檢測硫化導(dǎo)致的靈敏度偏移(±3%)和響應(yīng)時間延遲
7.繼電器:電磁式與固態(tài)類型,評估觸點電阻(≤100mΩ)及開關(guān)壽命衰減
8.光電器件:LED與光電二極管,監(jiān)測發(fā)光效率變化(≤10%)和暗電流增加
9.電源模塊:DC-DC轉(zhuǎn)換器,測試輸出電壓紋波(≤50mV)及效率下降(≤5%)
10.封裝材料:環(huán)氧樹脂與陶瓷基板,重點分析氣密性失效和界面分層風險
國際標準:
1.環(huán)境試驗箱:Thermotron3900型(溫度范圍-70°C至180°C,濕度10-98%RH)
2.電阻測試儀:Keysight34465A型(精度±0.01%,量程0.1Ω至100MΩ)
3.光譜分析儀:OBLFQSN750-II型(檢測限0.0001%,波長范圍185-800nm)
4.顯微鏡系統(tǒng):OlympusBX53型(放大倍數(shù)50-1000X,分辨率0.2μm)
5.萬能材料試驗機:Instron5969型(載荷范圍0.01-50kN,精度±0.5%)
6.電化學(xué)工作站:GamryInterface1010E型(頻率范圍10μHz-1MHz,電位±10V)
7.熱分析儀:NetzschSTA449F3型(溫度范圍RT-1600°C,靈敏度0.1μg)
8.氣體濃度控制器:Environics4040型(流量0.1-10L/min,精度±1%)
9.表面粗糙度儀:MitutoyoSJ-410型(測量范圍350μm,分辨率0.01μm)
10.信號發(fā)生器:Rohde&SchwarzSMJianCe100A型(頻率范圍9kHz-6GHz,輸出電平-140-20dBm)
11.恒溫恒濕箱:ESPECSH-661型(濕度控制±2%RH,溫度均勻度±0.5°C)
12.泄漏電流測試儀:Keithley6517B型(電流范圍1fA-20mA,電壓0-1000V)
13.振動試驗臺:LDSV875型(頻率范圍5-3000Hz,加速度10g)
14.X射線衍射儀:BrukerD8Advance型(角度范圍0-160°,精度0.0001°)
15.紅外熱像儀:FLIRT860型(溫度范圍-40°C-2000°C,分辨率640x480)
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。
標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。
非標測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析電子元器件抗硫化試驗 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2021-03-15
2023-06-28