參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

物理特性檢測(cè)：

• 尺寸分析：平均粒徑（5-100nm）、尺寸標(biāo)準(zhǔn)差≤10%（參照ISO13322-1）
• 密度測(cè)定：顆粒密度（103-10?/cm3）、空隙率≤5%
• 形狀因子：縱橫比（0.5-2.0）、圓度≥0.8

• 元素含量：雜質(zhì)濃度（檢測(cè)限0.01at%，參照ASTME1251）
• 組分偏差：主元素偏差±0.1at%、雜質(zhì)元素偏差±0.05wt%
• 氧化狀態(tài)：氧含量≤100ppm、氮含量≤50ppm

• 晶體結(jié)構(gòu)：晶格常數(shù)偏差≤0.01?、相純度≥99.5%
• 取向分析：取向差角≤2°、孿晶密度≤103/cm2
• 缺陷密度：位錯(cuò)密度（≤10?/cm2）、層錯(cuò)率≤0.1%

• 粗糙度：Ra值（0.1-10nm，參照ISO25178）
• 形貌特征：臺(tái)階高度（1-50nm）、孔洞密度≤10?/cm2
• 接觸角：水接觸角（70°-110°）、潤(rùn)濕性偏差±5°

• 空間分布：均勻性指數(shù)≥0.9、簇集系數(shù)≤0.2
• 濃度梯度：梯度斜率≤0.05/μm、邊界擴(kuò)散≤1μm
• 深度剖面：剖面分辨率≤10nm、界面厚度≤5nm

• 電阻率：方塊電阻（0.1-100Ω/sq，參照J(rèn)ISH0602）
• 電容特性：介電常數(shù)（3.9-12）、損耗角≤0.01
• 載流子遷移率：遷移率（100-1500cm2/V·s）、濃度偏差±5%

• 熱穩(wěn)定性：熱膨脹系數(shù)（2.5-6.5×10??/K）、相變溫度偏差±5°C
• 導(dǎo)熱率：熱導(dǎo)率（20-200W/m·K）、熱擴(kuò)散系數(shù)（0.1-1cm2/s）
• 玻璃化轉(zhuǎn)變：Tg值（-50°C至300°C）、熔融峰溫±2°C

• 硬度測(cè)試：維氏硬度（HV0.01-1000）、彈性模量（70-400GPa）
• 斷裂韌性：KIC值（0.5-5MPa·m1/2）、屈服強(qiáng)度≥100MPa
• 疲勞壽命：循環(huán)次數(shù)≥10?次、應(yīng)力振幅≤50MPa

• 反射率：反射系數(shù)（0.1-0.9）、透射率≥90%
• 折射率：折射指數(shù)（1.4-4.0）、消光系數(shù)≤0.1
• 發(fā)光特性：熒光強(qiáng)度（100-10000cd/m2）、波長(zhǎng)偏差±5nm

• 耐腐蝕性：腐蝕速率≤0.01mm/year、鈍化指數(shù)≥0.8
• 氧化抗力：氧化層厚度（1-100nm）、增重率≤0.1mg/cm2
• 酸堿性響應(yīng)：pH耐受范圍（2-12）、溶解率≤0.001%

檢測(cè)范圍

1.單晶硅晶片：針對(duì)晶圓表面金屬雜質(zhì)析出物，重點(diǎn)檢測(cè)硅化物顆粒尺寸分布和密度均勻性

2.多晶硅襯底：分析晶界處氧化物析出，側(cè)重尺寸標(biāo)準(zhǔn)差和空隙率控制

3.砷化鎵半導(dǎo)體：檢測(cè)砷化物析出物化學(xué)成分偏差，重點(diǎn)評(píng)估元素含量和氧化狀態(tài)

4.氮化鎵功率器件：聚焦界面氮化物析出，核心檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)一致性和缺陷密度

5.磷化銦基板：針對(duì)磷化物析出相，重點(diǎn)分析表面形貌粗糙度和孔洞密度

6.碳化硅半導(dǎo)體：檢測(cè)碳化物析出物分布均勻性，側(cè)重空間分布指數(shù)和濃度梯度

7.鍺基紅外材料：分析鍺化物析出電性能關(guān)聯(lián)，重點(diǎn)測(cè)試電阻率和載流子遷移率

8.氧化鋅薄膜：檢測(cè)氧化物析出熱穩(wěn)定性，核心評(píng)估熱膨脹系數(shù)和導(dǎo)熱率

9.有機(jī)半導(dǎo)體：針對(duì)聚合物析出機(jī)械性能，側(cè)重硬度測(cè)試和疲勞壽命

10.II-VI族化合物：分析硒化物或碲化物析出光學(xué)特性，重點(diǎn)檢測(cè)反射率和折射率

檢測(cè)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：

• ASTME112-13粒度測(cè)定方法
• ISO13322-1:2022顆粒尺寸分析成像法
• ASTME1251-17火花源原子發(fā)射光譜法
• ISO14706:2014表面元素分析XPS法
• ASTME384-22顯微硬度試驗(yàn)

• GB/T13298-2015金相顯微分析方法
• GB/T4336-2020碳硅錳磷硫鉻鎳測(cè)定法
• GB/T31971-2015半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試
• GB/T18851-2012非金屬夾雜物評(píng)定方法
• GB/T228.1-2021金屬材料拉伸試驗(yàn)

檢測(cè)設(shè)備

1.掃描電子顯微鏡：FEINovaNanoSEM450（分辨率0.8nm，加速電壓0.1-30kV）

2.透射電子顯微鏡：JEOLJEM-2100F（點(diǎn)分辨率0.19nm，放大倍數(shù)50-1,500,000×）

3.X射線衍射儀：BrukerD8ADVANCE（角度精度±0.0001°，2θ范圍5°-160°）

4.能譜分析儀：EDAXOctaneElite（元素檢測(cè)限0.1wt%，能量分辨率129eV）

5.原子力顯微鏡：BrukerDimensionIcon（掃描范圍90μm×90μm，Z軸分辨率0.1nm）

6.二次離子質(zhì)譜儀：CAMECAIMS7f（深度分辨率5nm，質(zhì)量范圍1-300amu）

7.傅里葉紅外光譜儀：ThermoNicoletiS50（波長(zhǎng)范圍7800-350cm?1，分辨率0.09cm?1）

8.拉曼光譜儀：RenishawinViaQontor（光譜范圍200-4000cm?1，空間分辨率0.5μm）

9.熱分析系統(tǒng)：NetzschSTA449F3（溫度范圍-150°C至2000°C，精度±0.1°C）

10.萬(wàn)能材料試驗(yàn)機(jī)：INSTRON5969（載荷范圍0.001N-50kN，應(yīng)變速率0.0001-1000mm/min）

11.納米壓痕儀：HysitronTI980（載荷范圍1nN-10mN，位移分辨率0.02nm）

12.橢圓偏振儀：J.A.WoollamM-2000（波長(zhǎng)范圍190-1700nm，角度精度±0.01°）

13.電性能測(cè)試臺(tái)：Keithley4200-SCS（電流分辨率0.1fA，電壓范圍±200V）

14.激光掃描共聚焦顯微鏡：OlympusLEXTOLS5000（橫向分辨率120nm，Z軸分辨率10nm）

15.X射線熒光光譜儀：ShimadzuEDX-7000（元素范圍Be-U，檢測(cè)限1ppm）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)