參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

粒度分布參數(shù)：

• 中位徑測(cè)定：D10值（μm）、D50值（μm）、D90值（μm）（參照ISO4708:2017）
• 分布寬度計(jì)算：Span值≤1.5、均勻度指數(shù)≥0.8
• 累積分布分析：Q3分布曲線擬合度≥95%

• 顆粒形狀因子：圓形度≥0.85、長(zhǎng)徑比≤1.5（參照ASTMB822-20）
• 表面粗糙度：Ra值≤0.1μm、Rz值≤0.5μm
• 聚集狀態(tài)：團(tuán)聚指數(shù)≤0.3

• 比表面積測(cè)定：BET值（m2/g）范圍0.5-50、誤差±0.5%
• 真密度分析：g/cm3值≥2.0、振實(shí)密度≥1.2g/cm3
• 孔隙率計(jì)算：總孔容≤0.5cm3/g

• 流動(dòng)速率：休止角≤35°、卡爾指數(shù)≥60
• 壓縮性：壓縮度≤20%、豪斯納比≤1.25
• 剪切強(qiáng)度：屈服點(diǎn)≥100Pa

• 金屬雜質(zhì)含量：Fe≤50ppm、Si≤30ppm（參照ISO4708:2017）
• 碳純度：固定碳≥99.5%、揮發(fā)分≤0.5%
• 水分含量：≤0.2wt%

• 熱重分析：失重率≤1%@500°C
• 氧化起始溫度：≥600°C
• pH值：6.0-8.0

• 電阻率：≤0.001Ω·cm
• 電導(dǎo)率：≥100S/cm
• 介電常數(shù)：≤5.0

• 壓碎強(qiáng)度：≥10MPa
• 彈性模量：≥5GPa
• 硬度：莫氏硬度≥1

• 反射率：≥20%@550nm
• 吸光度：≤0.1@400-800nm
• 透光率：≥90%

• 濕度敏感性：膨脹率≤0.5%@80%RH
• 溫度循環(huán)穩(wěn)定性：尺寸變化≤0.1%
• 耐腐蝕性：質(zhì)量損失≤0.01g/m2

檢測(cè)范圍

1.天然石墨粉末：采自鱗片狀或土狀石墨礦，重點(diǎn)檢測(cè)D50值分布均勻性及金屬雜質(zhì)控制

2.合成石墨粉末：通過高溫裂解制備，側(cè)重比表面積精度和熱穩(wěn)定性驗(yàn)證

3.膨脹石墨粉末：經(jīng)酸化處理膨脹，核心檢測(cè)流動(dòng)性和孔隙率參數(shù)

4.高純度石墨粉末：純度≥99.9%，聚焦碳含量分析及微量雜質(zhì)測(cè)定

5.鋰離子電池負(fù)極石墨：用于儲(chǔ)能材料，強(qiáng)調(diào)D90值上限及電導(dǎo)率一致性

6.核級(jí)石墨粉末：應(yīng)用于核反應(yīng)堆，關(guān)鍵檢測(cè)中子吸收截面及熱穩(wěn)定性

7.潤(rùn)滑劑用石墨粉末：工業(yè)潤(rùn)滑應(yīng)用，重點(diǎn)驗(yàn)證顆粒形狀因子和剪切強(qiáng)度

8.導(dǎo)電填料石墨粉末：電子行業(yè)使用，側(cè)重電阻率范圍和表面粗糙度

9.耐火材料石墨粉末：高溫環(huán)境應(yīng)用，核心檢測(cè)氧化起始溫度及失重率

10.3D打印石墨粉末：增材制造材料，聚焦流動(dòng)速率和聚集狀態(tài)控制

檢測(cè)方法

國際標(biāo)準(zhǔn)：

• ISO4708:2017粒度分布測(cè)定-激光衍射法（允許干濕法差異）
• ISO13320:2020粒度分析-激光衍射通用要求（包含光學(xué)模型差異）
• ASTMB822-20金屬粉末粒度分布標(biāo)準(zhǔn)（方法差異：采樣量要求不同）
• ISO9277:2010比表面積測(cè)定-BET法（與國標(biāo)溫控差異）
• ISO3953:2011金屬粉末流動(dòng)性測(cè)定（休止角方法差異）

• GB/T19077-2016粒度分布測(cè)定-激光衍射法（與ISO4708校準(zhǔn)差異）
• GB/T19587-2017氣體吸附法比表面積測(cè)定（BET參數(shù)差異）
• GB/T5162-2021金屬粉末振實(shí)密度測(cè)定（容器尺寸差異）
• GB/T14853-2022石墨固定碳含量測(cè)定（灼燒溫度差異）
• GB/T23999-2022粉體流動(dòng)性測(cè)定（卡爾指數(shù)方法差異）

檢測(cè)設(shè)備

1.激光粒度分析儀：MalvernMastersizer3000（測(cè)量范圍0.01-3500μm，精度±0.5%）

2.掃描電子顯微鏡：HitachiSU8000（分辨率0.8nm，放大倍數(shù)5-800,000×）

3.比表面積分析儀：MicromeriticsASAP2460（檢測(cè)限0.01m2/g，真空度10??Pa）

4.真密度分析儀：AccuPycII1340（量程0-100g/cm3，精度±0.03%）

5.流動(dòng)特性測(cè)試儀：BettersizerBTS800（休止角測(cè)量誤差±0.5°，速度0.1-100mm/s）

6.熱重分析儀：NetzschSTA449F5（溫度范圍RT-1600°C，升溫速率0.1-100K/min）

7.電導(dǎo)率測(cè)試儀：KeysightB2900A（電阻范圍1μΩ-100MΩ，精度±0.1%）

8.壓汞孔隙度儀：MicromeriticsAutoPoreV（孔徑測(cè)量0.003-1000μm，壓力0-60,000psi）

9.粒度圖像分析系統(tǒng)：MalvernMorphologi4（顆粒計(jì)數(shù)>100萬，形狀分析速度10s/樣本）

10.水分測(cè)定儀：MettlerToledoHX204（量程0.001-100%，靈敏度±0.0001g）

11.硬度測(cè)試儀：MitutoyoHM-200（載荷范圍0.1-200gf，分辨率0.1μm）

12.環(huán)境模擬箱：EspecSH-261（溫控范圍-70°C~150°C，濕度10-98%RH）

13.光譜分析儀：ThermoFisheriCAP7400（元素檢測(cè)限0.1ppm，波長(zhǎng)范圍165-852nm）

14.離心沉降粒度儀：BrookhavenBI-DCP（測(cè)量范圍0.001-100μm，沉降速度0.01-100mm/s）

15.流變儀：AntonPaarMCR302（剪切速率0.001-1000s?1，扭矩范圍0.5μN(yùn)m-200mNm）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)