參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

表面形貌分析：

• 表面粗糙度測(cè)量：Ra參數(shù)（0.1-100μm范圍，參照ISO25178）
• 臺(tái)階高度檢測(cè)：垂直分辨率≤1nm，水平精度±0.5nm

• 晶粒尺寸分布：平均尺寸測(cè)量（μm級(jí)，精度±0.1μm）
• 相組成分析：體積分?jǐn)?shù)偏差≤1%，晶界能計(jì)算
• 缺陷密度量化：孔隙率≤0.5%，裂紋長(zhǎng)度測(cè)量（精度±0.2μm）

• 特征尺寸校準(zhǔn)：線寬/直徑（nm級(jí)，偏差±1nm）
• 厚度測(cè)量：薄膜涂層（μm范圍，精度±0.05μm）

• 裂紋形態(tài)分析：長(zhǎng)度分布（最大100μm，參照ASTME1823）
• 孔隙體積分?jǐn)?shù)：占比≤0.3%，形狀因子計(jì)算

• 元素映射：EDS分辨率≥128eV，元素分布偏差±0.05wt%
• 化學(xué)組成測(cè)定：成分偏差≤0.1wt%（參照GB/T223）

• 界面厚度測(cè)量：納米級(jí)精度（±0.5nm）
• 粘附強(qiáng)度評(píng)估：界面結(jié)合能計(jì)算（MPa范圍）

• 納米粒子直徑：分布范圍10-500nm，精度±1nm
• 陣列間距測(cè)量：周期偏差≤0.3nm

• 細(xì)胞結(jié)構(gòu)分辨率：最小特征尺寸≥5nm
• 組織厚度測(cè)量：精度±0.2μm（參照ISO10993）

• 涂層均勻性分析：厚度偏差≤0.1μm
• 界面完整性檢測(cè)：裂紋孔隙密度≤0.2%

• 纖維取向測(cè)量：角度偏差±1°
• 基質(zhì)缺陷密度：孔隙率≤0.4%（參照ASTMD792）

檢測(cè)范圍

1.金屬材料：包括鋼鐵、鋁合金等，重點(diǎn)檢測(cè)晶界相變、微觀裂紋分布及表面氧化層形貌

2.半導(dǎo)體材料：硅片、GaAs基材等，側(cè)重表面平整度、線寬尺寸測(cè)量及界面缺陷分析

3.陶瓷材料：氧化鋁、氮化硅等，檢測(cè)晶粒生長(zhǎng)形態(tài)、孔隙分布及微裂紋密度

4.高分子材料：聚乙烯、環(huán)氧樹脂等，關(guān)注分子鏈排列、表面紋理及降解缺陷

5.生物材料：細(xì)胞組織、生物膜等，重點(diǎn)分析細(xì)胞結(jié)構(gòu)分辨率、組織厚度及界面粘附

6.納米材料：納米粒子、碳納米管等，檢測(cè)粒子尺寸分布、分散均勻性及陣列形貌

7.薄膜材料：涂層、沉積薄膜等，側(cè)重厚度均勻性、界面完整性及表面粗糙度

8.復(fù)合材料：碳纖維增強(qiáng)聚合物等，關(guān)注纖維直徑、基質(zhì)缺陷密度及界面結(jié)合強(qiáng)度

9.地質(zhì)樣品：礦物、巖石切片等，檢測(cè)礦物組成紋理、孔隙結(jié)構(gòu)及風(fēng)化缺陷

10.電子器件：集成電路、封裝基板等，重點(diǎn)分析電路形貌、焊點(diǎn)缺陷及尺寸精度

檢測(cè)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：

• ASTME766-14SEM圖像校準(zhǔn)方法（分辨率校準(zhǔn)差異：要求重復(fù)性偏差≤2%）
• ISO16700:2016SEM分辨率測(cè)試（比ASTM更注重環(huán)境控制）
• ISO10993-5:2009生物樣品形貌評(píng)估（表面處理差異：需預(yù)固定）
• ASTME1508-12缺陷定量分析（裂紋測(cè)量精度差異：±0.1μmvsGB±0.2μm）

• GB/T17722-2021表面粗糙度SEM測(cè)量方法（與國(guó)際差異：校準(zhǔn)頻率更高）
• GB/T6394-2017晶粒尺寸測(cè)定（放大倍數(shù)范圍差異：1000x-100000x）
• GB/T4340.1-2009顯微硬度形貌觀測(cè)（比ISO更強(qiáng)調(diào)載荷控制）
• GB/T223.5-2008元素分布分析（EDS偏差限值±0.05wt%）

檢測(cè)設(shè)備

1.掃描電子顯微鏡：HitachiSU8000型號(hào)（分辨率0.5nm，加速電壓0.5-30kV）

2.透射電子顯微鏡：JEOLJEM-2100F型號(hào)（分辨率0.1nm，放大倍數(shù)50x-1500000x）

3.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡：FEINovaNanoSEM450型號(hào)（分辨率0.8nm，低真空模式）

4.環(huán)境掃描電鏡：FEIQuanta250FEG型號(hào)（濕樣品兼容，分辨率1.0nm）

5.能譜分析儀：OxfordX-Max80型號(hào)（EDS分辨率129eV，元素檢測(cè)限0.1wt%）

6.聚焦離子束系統(tǒng)：ZeissCrossbeam540型號(hào)（FIB切割精度±2nm，SEM分辨率0.9nm）

7.原子力顯微鏡：BrukerDimensionIcon型號(hào)（分辨率0.1nm，力測(cè)量范圍10pN-100nN）

8.電子背散射衍射儀：OxfordSymmetry型號(hào)（EBSD分辨率0.02μm，角度精度±0.5°）

9.陰極發(fā)光顯微鏡：GatanMonoCL4型號(hào)（光譜范圍200-1000nm，分辨率0.5μm）

10.原位拉伸臺(tái)：DebenMicrotest型號(hào)（載荷范圍0-5kN，溫度范圍-150°C至+350°C）

11.低溫樣品臺(tái)：GatanAlto2500型號(hào)（溫度控制-180°C至+300°C，精度±0.1°C）

12.高分辨率相機(jī)：GatanK2-IS型號(hào)（直接電子探測(cè)，幀率400fps）

13.三維重構(gòu)系統(tǒng)：FEIAvizo3D型號(hào)（體素分辨率5nm，重建精度±0.2%）

14.圖像分析軟件：ImageJ專業(yè)版（顆粒分析精度±0.5%，符合ISO13322）

15.真空鍍膜儀：QuorumQ150T型號(hào)（鍍膜厚度控制±2nm，材料兼容金/鉑）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)