參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.成分分析：Cd/Zn/Te元素含量（0.1at%精度）、雜質(zhì)元素（Fe/Cu/Na≤10ppm）
2.晶體結(jié)構(gòu)：晶格常數(shù)（6.4820.005）、位錯(cuò)密度（≤510^4cm^-2）
3.電學(xué)性能：電阻率（≥110^10Ωcm）、載流子遷移率（≥1000cm/Vs）
4.缺陷表征：Te沉淀相尺寸（≤5μm）、孿晶界密度（≤3/cm）
5.光學(xué)特性：紅外透過率（2-25μm波段≥60%）、帶隙寬度（1.4-2.2eV可調(diào)）

檢測(cè)范圍

1.紅外探測(cè)器用單晶襯底片（直徑50-150mm）
2.核輻射探測(cè)器級(jí)晶體（厚度1-10mm）
3.氣相沉積薄膜材料（厚度0.1-5μm）
4.摻雜改性材料（In/Al摻雜濃度0.1-5at%）
5.器件封裝成品（TO-8/TO-39封裝體）

檢測(cè)方法

1.ASTMF76：半導(dǎo)體材料電阻率標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試法
2.ISO14707：輝光放電質(zhì)譜元素分析規(guī)程
3.GB/T13301：晶體缺陷X射線形貌術(shù)檢測(cè)規(guī)范
4.GB/T32282：半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)測(cè)試方法
5.ISO21283：紅外光譜法測(cè)定帶隙技術(shù)規(guī)范
6.ASTME112：晶粒度測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)方法

檢測(cè)設(shè)備

1.X射線熒光光譜儀（XRF-1800）：元素定量分析（檢出限0.01wt%）
2.X射線衍射儀（D8ADVANCE）：晶體結(jié)構(gòu)表征（角度精度0.0001）
3.霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)（HMS-3000）：載流子濃度/遷移率測(cè)量（磁場(chǎng)強(qiáng)度1T）
4.紅外傅里葉光譜儀（NicoletiS50）：透過率/帶隙測(cè)試（波長范圍0.3-25μm）
5.掃描電子顯微鏡（SU5000）：表面形貌觀測(cè)（分辨率1nm）
6.低溫探針臺(tái)（CRX-6.5K）：電學(xué)特性低溫測(cè)試（溫度范圍4-400K）
7.γ射線能譜儀（GEM60P4）：核響應(yīng)特性測(cè)試（能量分辨率≤1%@662keV）
8.激光誘導(dǎo)擊穿光譜儀（LIBS-6G）：深度剖面分析（空間分辨率

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)