參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1.粒子能量范圍：0.1-20MeV電子束/質(zhì)子束能量分辨率≤0.5%

2.通量密度均勻性：束流密度偏差≤3%（ASTME1249要求）

3.能譜分布特征：半高寬（FWHM）≤8keV@1MeV

4.空間分布穩(wěn)定性：30分鐘漂移量＜0.1mm

5.背散射電子產(chǎn)額：入射角45時(shí)產(chǎn)額誤差≤5%

檢測范圍

1.半導(dǎo)體晶圓摻雜均勻性驗(yàn)證（300mm硅片）

2.航天器抗輻射涂層質(zhì)子穿透深度測試

3.醫(yī)用加速器鎢準(zhǔn)直器散射特性分析

4.核電站壓力容器鋼輻照脆化評(píng)估

5.OLED柔性基板離子注入損傷監(jiān)測

檢測方法

ASTMF1192-18半導(dǎo)體器件輻射硬度保證規(guī)程

ISO15390:2021空間輻射環(huán)境模擬測試通則

GB/T10262-2021電離輻射探測器性能測試方法

GB5172-2018電子直線加速器放射治療放射防護(hù)要求

IEC61322-1:2020輻射防護(hù)儀器中子測量設(shè)備規(guī)范

檢測設(shè)備

1.VandeGraaffKN3750靜電加速器：產(chǎn)生0.5-3MeV質(zhì)子束流

2.HamamatsuC10910D電子槍系統(tǒng)：電子能量范圍50keV-1MeV

3.ORTECGEM-C5060高純鍺探測器：能量分辨率≤1.8keV@1.33MeV

4.PTWUNIDOSE放射劑量計(jì)：測量范圍0.1μGy-10Gy

5.ThermoScientificXPSVersaProbeIII：表面元素分析精度0.1at%

6.BrukerD8ADVANCEXRD系統(tǒng)：晶格畸變測量精度0.0001nm

7.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：漏電流測量下限1fA

8.FLIRSC7000紅外熱像儀：溫度分辨率20mK@30℃

9.OxfordInstrumentsAztecEnergyEDS：元素面分布成像精度0.5μm

10.HitachiS-4800場發(fā)射電鏡：二次電子分辨率

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)