參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.表面硼濃度：測(cè)量范圍1E15~1E21atoms/cm，精度3%
2.結(jié)深（JunctionDepth）：0.1~5μm量程，分辨率2nm
3.橫向擴(kuò)散系數(shù)：三維分布測(cè)量誤差≤5%
4.薄層電阻（Rs）：0.1~1000Ω/□量程
5.缺陷密度：位錯(cuò)密度≤500/cm，堆垛層錯(cuò)≤10/cm

檢測(cè)范圍

1.單晶硅片（CZ/FZ法）
2.多晶硅光伏基板
3.砷化鎵（GaAs）外延片
4.碳化硅（SiC）功率器件
5.MEMS器件摻雜層

檢測(cè)方法

1.ASTMF723：四探針?lè)ū与娮铚y(cè)量
2.ISO14707：SIMS深度剖面分析
3.GB/T14844：半導(dǎo)體材料載流子濃度測(cè)定
4.ASTME112：金相法結(jié)深測(cè)量
5.GB/T26068：硅片缺陷X射線檢測(cè)

檢測(cè)設(shè)備

1.ThermoFisherScientificSIMS4550：二次離子質(zhì)譜儀（深度分辨率0.5nm）
2.KLATencorRS-100：四探針測(cè)試系統(tǒng)（最小測(cè)量間距50μm）
3.HitachiSU9000：場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（分辨率0.4nm）
4.BrukerD8Discover：X射線衍射儀（角度精度0.0001）
5.Keithley4200A-SCS：半導(dǎo)體參數(shù)分析系統(tǒng)（電流分辨率0.1fA）
6.OlympusBX53M：金相顯微鏡（最大倍率1500X）
7.NanometricsNanoDiffract：橢偏儀（膜厚測(cè)量精度0.1nm）
8.Agilent5500：原子力顯微鏡（Z軸分辨率

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)