出現(xiàn)電勢譜學檢測摘要:出現(xiàn)電勢譜學(APS)是一種基于電子能譜分析的材料表征技術,主要用于測定材料表面元素組成、化學態(tài)及深度分布。其檢測要點包括激發(fā)源能量校準、譜峰分辨率控制及數(shù)據(jù)解卷積分析,適用于金屬、半導體、高分子等材料的非破壞性檢測,在失效分析和質量控制中具有重要應用價值。
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。
表面元素靈敏度分析(檢測參數(shù):元素檢出限0.1-10 at.%)
化學態(tài)結合能測定(檢測參數(shù):結合能范圍0-1500 eV,分辨率±0.2 eV)
深度剖面分析(檢測參數(shù):濺射深度0-1000 nm,深度分辨率5 nm)
價帶結構表征(檢測參數(shù):能量范圍-20至20 eV,步長0.05 eV)
污染物檢測(檢測參數(shù):C/O污染層厚度1-50 nm,覆蓋度分析)
金屬材料:鋁合金鈍化膜、不銹鋼氧化層、電鍍涂層
半導體材料:硅片表面摻雜、GaN外延層、ITO透明導電膜
高分子材料:聚合物表面改性層、光刻膠殘留物
陶瓷材料:氮化硅燒結體、壓電陶瓷界面
生物材料:鈦合金植入體表面處理、醫(yī)用高分子涂層
ASTM E2108:標準實踐-X射線光電子能譜表面分析
ISO 18118:表面化學分析-俄歇電子能譜和X射線光電子能譜
GB/T 19500:X射線光電子能譜分析方法通則
GB/T 17359:電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法
ISO 15472:XPS儀器強度標定的標準方法
Thermo Scientific K-Alpha XPS:單色化Al Kα光源(1486.6 eV),空間分辨率≤30 μm,配備Ar+離子槍(0.1-4 keV)
ULVAC-PHI VersaProbe IV:多模式X射線源(Al/Mg雙陽極),深度剖析模式最小束斑10 μm
Kratos AXIS Supra:高傳輸能量分析器(能量分辨率<0.45 eV),集成紫外光電子能譜(UPS)模塊
SPECS FlexMod XPS:模塊化設計,配備SnapMap快速成像功能(像素尺寸5 μm)
JEOL JPS-9030:全自動樣品臺(5軸控制),支持高溫/低溫原位分析(-150℃至600℃)
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質:旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。
標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。
非標測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務。
中析出現(xiàn)電勢譜學檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師