參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1.氧化層厚度測量：采用橢偏儀進(jìn)行非破壞性檢測，測量范圍0.5-10nm，精度0.05nm

2.均勻性分析：通過原子力顯微鏡（AFM）掃描表面粗糙度（Ra≤0.3nm）及厚度波動(dòng)（≤2%）

3.界面缺陷密度檢測：利用深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）測量界面態(tài)密度（Dit≤110?cm?eV?）

4.擊穿電壓測試：采用高壓源表進(jìn)行TDDB測試（電壓范圍0-200V），記錄擊穿電場強(qiáng)度（≥10MV/cm）

5.漏電流特性評(píng)估：在125℃高溫下測量漏電流密度（≤110??A/cm@3V）

檢測范圍

1.MOSFET器件柵極氧化層（SiO?/SiON）

2.IGBT功率器件鈍化層（Al?O?/Si?N?）

3.CMOS集成電路中的高k介質(zhì)層（HfO?/Al?O?疊層）

4.DRAM存儲(chǔ)單元電容介質(zhì)層（ZrO?/TiO?納米疊層）

5.GaN基HEMT器件的Al?O?柵介質(zhì)層

檢測方法

1.ASTMF1390-18：基于橢偏法的介質(zhì)膜厚度測量標(biāo)準(zhǔn)

2.ISO14647:2018：半導(dǎo)體器件中氧化層擊穿電壓測試規(guī)范

3.GB/T16525-2017：半導(dǎo)體材料表面界面態(tài)密度測試方法

4.JESD35-A：TDDB可靠性評(píng)估的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法

5.GB/T30508-2014：納米級(jí)介質(zhì)膜電學(xué)特性測試規(guī)程

檢測設(shè)備

1.J.A.WoollamM-2000UI型全自動(dòng)橢偏儀：支持190-1700nm光譜范圍的多角度測量

2.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：配備ScanAsyst模式實(shí)現(xiàn)亞埃級(jí)表面形貌分析

3.KeysightB1505A功率器件分析儀：支持2000V/1500A脈沖測試的TDDB評(píng)估系統(tǒng)

4.Agilent4294A精密阻抗分析儀：4Hz-110MHz頻率范圍的C-V特性測試設(shè)備

5.Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：集成SMU模塊的納米級(jí)漏電流測量系統(tǒng)

6.ThermoFisherScientificNexsaXPS系統(tǒng)：用于界面化學(xué)態(tài)分析的X射線光電子能譜儀

7.OxfordInstrumentsPlasmaPro100深能級(jí)瞬態(tài)譜儀：低溫（77K）條件下的界面態(tài)表征設(shè)備

8.HitachiSU9000場發(fā)射掃描電鏡：配備EDS的截面形貌觀測系統(tǒng)（分辨率0.6nm）

9.KLATencorP-17臺(tái)階儀：接觸式膜厚測量裝置（重復(fù)精度0.1nm）

10.SentechSE800光譜橢偏儀：專用介質(zhì)膜分析系統(tǒng)（支持多層膜建模解析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)