參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

氧化鈹（BeO）含量測定：純度范圍99.5%-99.99%

二氧化硅（SiO?）配比分析：摩爾比1:1至1:1.05

重金屬雜質(zhì)檢測：鉛（Pb≤50ppm）、鎘（Cd≤30ppm）、汞（Hg≤10ppm）

晶體結(jié)構(gòu)表征：晶格常數(shù)a=4.85?±0.02,c=5.26?±0.03

密度測試：理論密度2.97g/cm3±0.05

熱膨脹系數(shù)測定：20-800℃區(qū)間α=5.6×10??/℃±0.2

檢測范圍

電子陶瓷基板材料：BeO-SiO?復(fù)合陶瓷基片

光學(xué)鍍膜材料：高折射率硅酸鈹薄膜層

高溫結(jié)構(gòu)陶瓷：核反應(yīng)堆用耐高溫組件

輻射屏蔽材料：中子吸收復(fù)合材料

特種玻璃原料：低膨脹系數(shù)玻璃添加劑

檢測方法

ASTM C1233-15：X射線熒光光譜法測定主成分含量

ISO 21587-3:2007：電感耦合等離子體發(fā)射光譜法分析雜質(zhì)元素

GB/T 2590.3-2021：鈹化合物化學(xué)分析方法（酸堿滴定法）

ISO 18757:2003：高溫X射線衍射法測定晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T 5071-2016：耐火材料真密度試驗方法（氦氣比重法）

檢測設(shè)備

Rigaku ZSX Primus IV波長色散型X射線熒光光譜儀（主成分定量分析）

Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀（晶體結(jié)構(gòu)解析）

PerkinElmer Optima 8300電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（痕量元素檢測）

Netzsch DIL 402C熱膨脹儀（熱膨脹系數(shù)測定）

Micromeritics AccuPyc II 1340氦氣比重計（真密度測試）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)