界面陷阱電荷檢測摘要:界面陷阱電荷檢測是評估半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵技術(shù)之一,主要針對材料界面缺陷引起的電荷積累進(jìn)行定量分析。檢測要點(diǎn)包括界面態(tài)密度、能級分布、動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性及溫度依賴性等核心參數(shù)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于MOS器件、功率半導(dǎo)體及新型存儲(chǔ)材料的質(zhì)量控制與失效分析領(lǐng)域。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.界面陷阱電荷密度(Dit):測量范圍1E9-1E12cm?eV?,精度5%
2.能級分布特性:掃描范圍EC-0.3eV至EV+0.3eV(導(dǎo)帶底至價(jià)帶頂)
3.動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間:測試頻率10mHz-1MHz,時(shí)間分辨率100ns
4.溫度依賴性:溫控范圍77-500K,步進(jìn)精度0.5K
5.應(yīng)力誘導(dǎo)變化:偏置電壓20V,應(yīng)力時(shí)間0-1000s可調(diào)
1.MOS結(jié)構(gòu)器件(SiO?/Si、SiN/Si界面)
2.III-V族化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)(GaN/AlGaN、InGaAs/InP)
3.高k介質(zhì)材料(HfO?/Si、Al?O?/GaAs)
4.二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)(MoS?/SiO?、石墨烯/h-BN)
5.鐵電存儲(chǔ)器界面(PZT/SRO、HZO/Si)
ASTMF1248-2021:基于準(zhǔn)靜態(tài)C-V法的界面態(tài)密度測量標(biāo)準(zhǔn)
ISO16700:2022:掃描探針顯微鏡表征界面電荷分布方法
GB/T29849-2018:深能級瞬態(tài)譜(DLTS)測試規(guī)范
IEC60749-28:2020:高溫柵偏壓(HTGB)應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)
GB/T35031-2018:交流導(dǎo)納譜法測定界面態(tài)參數(shù)方法
KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀:支持10μV-100V電壓輸出與fA級電流測量
Agilent4156C精密參數(shù)分析儀:實(shí)現(xiàn)C-V/I-V多頻點(diǎn)掃描(1kHz-1MHz)
CascadeSummit12000探針臺(tái):配備液氮溫控模塊與電磁屏蔽腔體
Keithley4200A-SCS測試系統(tǒng):集成脈沖I-V與瞬態(tài)響應(yīng)測量功能
LakeShoreCRX-4K低溫探針臺(tái):工作溫度4.2-475K,磁場強(qiáng)度1T
OxfordInstrumentsDLTS系統(tǒng):深能級瞬態(tài)譜分辨率達(dá)1E10cm?eV?
BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡:支持KPFM模式表面電勢成像
AdvantestE4981A阻抗分析儀:頻率范圍20Hz-30MHz,基本精度0.05%
ThermoFisherHeliosG4UXFIB-SEM:納米尺度截面制備與EDS成分分析
SUSSMicroTecPA300:全自動(dòng)晶圓級可靠性測試平臺(tái)
報(bào)告:可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。
非標(biāo)測試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析界面陷阱電荷檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢詳細(xì)檢測項(xiàng)目,請咨詢在線工程師
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