參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1.界面陷阱電荷密度（Dit）：測量范圍1E9-1E12cm?eV?，精度5%

2.能級分布特性：掃描范圍EC-0.3eV至EV+0.3eV（導(dǎo)帶底至價(jià)帶頂）

3.動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間：測試頻率10mHz-1MHz，時(shí)間分辨率100ns

4.溫度依賴性：溫控范圍77-500K，步進(jìn)精度0.5K

5.應(yīng)力誘導(dǎo)變化：偏置電壓20V，應(yīng)力時(shí)間0-1000s可調(diào)

檢測范圍

1.MOS結(jié)構(gòu)器件（SiO?/Si、SiN/Si界面）

2.III-V族化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)（GaN/AlGaN、InGaAs/InP）

3.高k介質(zhì)材料（HfO?/Si、Al?O?/GaAs）

4.二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)（MoS?/SiO?、石墨烯/h-BN）

5.鐵電存儲(chǔ)器界面（PZT/SRO、HZO/Si）

檢測方法

ASTMF1248-2021：基于準(zhǔn)靜態(tài)C-V法的界面態(tài)密度測量標(biāo)準(zhǔn)

ISO16700:2022：掃描探針顯微鏡表征界面電荷分布方法

GB/T29849-2018：深能級瞬態(tài)譜（DLTS）測試規(guī)范

IEC60749-28:2020：高溫柵偏壓（HTGB）應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35031-2018：交流導(dǎo)納譜法測定界面態(tài)參數(shù)方法

檢測設(shè)備

KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：支持10μV-100V電壓輸出與fA級電流測量

Agilent4156C精密參數(shù)分析儀：實(shí)現(xiàn)C-V/I-V多頻點(diǎn)掃描（1kHz-1MHz）

CascadeSummit12000探針臺(tái)：配備液氮溫控模塊與電磁屏蔽腔體

Keithley4200A-SCS測試系統(tǒng)：集成脈沖I-V與瞬態(tài)響應(yīng)測量功能

LakeShoreCRX-4K低溫探針臺(tái)：工作溫度4.2-475K，磁場強(qiáng)度1T

OxfordInstrumentsDLTS系統(tǒng)：深能級瞬態(tài)譜分辨率達(dá)1E10cm?eV?

BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：支持KPFM模式表面電勢成像

AdvantestE4981A阻抗分析儀：頻率范圍20Hz-30MHz，基本精度0.05%

ThermoFisherHeliosG4UXFIB-SEM：納米尺度截面制備與EDS成分分析

SUSSMicroTecPA300：全自動(dòng)晶圓級可靠性測試平臺(tái)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)