參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 電荷密度分布：測(cè)量精度±0.01 e/?3（電子/立方埃），空間分辨率≤0.5 nm

2. 界面電荷轉(zhuǎn)移量：靈敏度達(dá)10^-3 e/atom（電子/原子）

3. 局域電場(chǎng)強(qiáng)度：量程0.1-10 V/nm，誤差≤5%

4. 表面功函數(shù)變化：測(cè)試范圍3-6 eV（電子伏特），重復(fù)性±0.02 eV

5. 載流子濃度梯度：分辨率10^15-10^20 cm^-3

檢測(cè)范圍

1. 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料（GaN/SiC、MoS2/WSe2等）

2. 納米復(fù)合催化材料（Pt/CeO2、Co3O4/g-C3N4等）

3. 二維層狀材料（石墨烯/六方氮化硼、過渡金屬硫化物等）

4. 金屬氧化物薄膜（TiO2、ZnO、Al2O3等）

5. 有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料（MAPbI3、FAPbBr3等）

檢測(cè)方法

1. ASTM F1525-22：基于掃描探針顯微鏡的界面電荷定量分析方法

2. ISO 21363:2021：納米顆粒表面電荷分布的X射線光電子能譜測(cè)試規(guī)程

3. GB/T 30118-2023：二維材料層間電荷轉(zhuǎn)移量的拉曼光譜測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)

4. ISO 18118:2022：表面功函數(shù)測(cè)量的紫外光電子能譜技術(shù)規(guī)范

5. GB/T 39123-2020：透射電鏡電子全息術(shù)測(cè)定局域電場(chǎng)強(qiáng)度方法

檢測(cè)設(shè)備

1. Bruker Icon AFM：掃描探針顯微鏡系統(tǒng)（接觸模式分辨率0.1 nm）

2. Thermo Scientific K-Alpha+：X射線光電子能譜儀（能量分辨率≤0.5 eV）

3. JEOL JEM-ARM300F：球差校正透射電鏡（空間分辨率0.08 nm）

4. SPECS PHOIBOS 150：紫外光電子能譜儀（功函數(shù)測(cè)試重復(fù)性±0.01 eV）

5. Renishaw inVia Qontor：共聚焦拉曼光譜系統(tǒng)（激光波長532/785 nm可調(diào)）

6. Park NX-Hivac：超高真空原子力顯微鏡（真空度≤5×10^-10 Torr）

7. Zeiss Merlin Compact：場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（電子束流穩(wěn)定性±0.2%）

8. Keysight 5500LS：低溫強(qiáng)磁場(chǎng)SPM系統(tǒng)（溫度范圍4-400 K）

9. Horiba LabRAM HR Evolution：顯微拉曼光譜儀（光譜分辨率0.35 cm^-1）

10. Oxford Instruments Cypher ES：環(huán)境控制原子力顯微鏡（濕度控制±1% RH）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)