參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

1. 晶體結構參數：采用X射線衍射法測定晶格常數（誤差≤0.01nm）及晶面間距（精度±0.002?）。

2. 位錯密度分析：通過化學腐蝕法或電子顯微鏡觀測（分辨率≤1×10?/cm2）。

3. 雜質濃度檢測：二次離子質譜法（SIMS）測量B/P/As等摻雜元素（檢出限≤1×101? atoms/cm3）。

4. 電阻率均勻性：四探針法測試徑向電阻率偏差（允許波動±5%）。

5. 氧碳含量測定：傅里葉紅外光譜法（FTIR）分析氧含量（精度±0.05ppma）、碳含量（精度±0.03ppma）。

檢測范圍

1. 半導體單晶材料：硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等直徑≤300mm晶棒

2. 激光晶體：摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG)、鈦寶石(Ti:Al?O?)等光學級晶體

3. 高溫合金單晶：鎳基CMSX-4系列渦輪葉片材料

4. 壓電晶體：鈮酸鋰(LiNbO?)、鉭酸鋰(LiTaO?)等聲表面波器件基材

5. 閃爍晶體：碘化鈉(NaI)、鍺酸鉍(BGO)等輻射探測晶體

檢測方法

1. ASTM E112-13 晶粒度測定標準

2. ISO 14707:2015 輝光放電質譜表面分析

3. GB/T 1555-2021 半導體單晶晶向測試方法

4. ASTM F723-88(2020) 硅片電阻率四探針測量規(guī)程

5. GB/T 14144-2022 硅單晶中氧碳含量的紅外吸收測量

6. ISO 14606:2015 電子背散射衍射(EBSD)晶體取向分析

檢測設備

1. PANalytical X'Pert3 MRD X射線衍射儀：配備高分辨率測角器（精度0.0001°）

2. JEOL JXA-8530F Plus電子探針顯微分析儀：波長色散譜(WDS)元素分析

3. Thermo Scientific Prisma E SEM掃描電鏡：EBSD系統(tǒng)取向成像（空間分辨率10nm）

4. Agilent 5500 AFM原子力顯微鏡：表面粗糙度測量（垂直分辨率0.1nm）

5. Bruker Vertex 80v FTIR光譜儀：低溫恒溫附件（測試范圍400-6000cm?1）

6. Keithley 4200A-SCS參數分析儀：高阻測量模塊（量程10?~101?Ω）

7. CAMECA IMS 7f-auto SIMS二次離子質譜儀：深度分辨率＜3nm

8. Oxford Instruments PlasmaPro 100 GD-MS輝光放電質譜儀：檢出限達ppt級

9. Leica DM2700M偏光顯微鏡：配備Clemex圖像分析系統(tǒng)（放大倍數50~1000×）

10. Four Dimensions 4DSP電阻率測繪系統(tǒng)：四探針自動掃描（測試速度200點/小時）

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質