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半自形的檢測(cè)

2025-05-19 關(guān)鍵詞:半自形的測(cè)試儀器,半自形的測(cè)試周期,半自形的測(cè)試機(jī)構(gòu) 相關(guān):
半自形的檢測(cè)

半自形的檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.晶粒尺寸分布:測(cè)量范圍0.1-500μm,精度2%2.形狀因子(SF):計(jì)算長(zhǎng)寬比(1.0-5.0)與圓度(0.6-1.0)3.界面角度偏差:測(cè)定晶界夾角與理論值的偏離度(0.5)4.孔隙率分析:量化孔隙面積占比(0.01-30%)5.結(jié)晶取向差:通過(guò)EBSD測(cè)定相鄰晶粒取向差(2-60)檢測(cè)范圍1.金屬合金:鋁合金T6態(tài)、鈦合金β相析出物2.陶瓷材料:氧化鋯四方相晶粒、碳化硅燒結(jié)體3.礦物巖石:花崗巖長(zhǎng)石斑晶、玄武巖輝石微晶4.高分子復(fù)合材料:聚丙烯球晶結(jié)構(gòu)、碳纖維增強(qiáng)相5.電子元器件:焊錫

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.晶粒尺寸分布:測(cè)量范圍0.1-500μm,精度2%

2.形狀因子(SF):計(jì)算長(zhǎng)寬比(1.0-5.0)與圓度(0.6-1.0)

3.界面角度偏差:測(cè)定晶界夾角與理論值的偏離度(0.5)

4.孔隙率分析:量化孔隙面積占比(0.01-30%)

5.結(jié)晶取向差:通過(guò)EBSD測(cè)定相鄰晶粒取向差(2-60)

檢測(cè)范圍

1.金屬合金:鋁合金T6態(tài)、鈦合金β相析出物

2.陶瓷材料:氧化鋯四方相晶粒、碳化硅燒結(jié)體

3.礦物巖石:花崗巖長(zhǎng)石斑晶、玄武巖輝石微晶

4.高分子復(fù)合材料:聚丙烯球晶結(jié)構(gòu)、碳纖維增強(qiáng)相

5.電子元器件:焊錫IMC層、半導(dǎo)體外延層缺陷

檢測(cè)方法

ASTME112-13:晶粒度測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)

ISO13383-1:2012:顯微圖像定量分析通則

GB/T6394-2017:金屬平均晶粒度測(cè)定法

ASTME2627-13:EBSD取向分析規(guī)程

ISO16649:2020:多孔材料孔隙率測(cè)定法

檢測(cè)設(shè)備

1.蔡司Sigma500場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡:分辨率1nm@15kV

2.OxfordXplore30能譜儀:元素分析范圍B-U

3.Brukere-FlashHREBSD探測(cè)器:采集速度3000pps

4.KeyenceVHX-7000數(shù)字顯微鏡:20-5000倍連續(xù)變倍

5.MalvernMorphologi4自動(dòng)顆粒分析儀:粒徑測(cè)量下限0.5μm

6.LeicaDM2700P偏光顯微鏡:透反射雙模式觀察

7.ShimadzuAIM-9000圖像分析系統(tǒng):支持多參數(shù)統(tǒng)計(jì)

8.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM:三維重構(gòu)功能

9.OlympusGX53倒置金相顯微鏡:景深擴(kuò)展技術(shù)

10.JEOLJXA-8530F電子探針:波譜分辨率5eV

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng):中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。

售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析半自形的檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢(xún)?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€工程師

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