參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.導(dǎo)通電阻：測(cè)量輸入/輸出端導(dǎo)通狀態(tài)阻抗值（0.5-2.0Ω），精度1%

2.絕緣電阻：測(cè)試非導(dǎo)通狀態(tài)下隔離阻抗（≥100MΩ@500VDC）

3.傳輸延遲時(shí)間：記錄輸入信號(hào)到輸出響應(yīng)時(shí)間（1-15ns）

4.功耗電流：監(jiān)測(cè)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)工作電流（μA~mA級(jí)）

5.溫度特性：驗(yàn)證-55℃~+125℃工作范圍內(nèi)參數(shù)漂移（5%）

6.抗靜電能力：ESD防護(hù)等級(jí)測(cè)試（HBM模式8kV）

檢測(cè)范圍

1.硅基半導(dǎo)體邏輯門(mén)電路（CMOS/TTL工藝）

2.砷化鎵高頻邏輯器件

3.嵌入式系統(tǒng)集成邏輯模塊

4.功率邏輯驅(qū)動(dòng)組件

5.航天級(jí)抗輻射加固器件

6.汽車電子專用耐高溫組件

檢測(cè)方法

1.電性能測(cè)試：依據(jù)IEC60747-14標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行動(dòng)態(tài)特性分析

2.環(huán)境試驗(yàn)：按GB/T2423系列完成溫度循環(huán)（-55℃~+125℃）及濕熱試驗(yàn)（95%RH）

3.耐久性評(píng)估：參照MIL-STD-883Method1005執(zhí)行機(jī)械應(yīng)力測(cè)試

4.信號(hào)完整性：采用ASTMF1241規(guī)范進(jìn)行上升/下降時(shí)間測(cè)量

5.EMC兼容性：依據(jù)CISPR25標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施輻射發(fā)射測(cè)試

6.失效分析：執(zhí)行JEDECJESD22-A110規(guī)定的加速壽命試驗(yàn)

檢測(cè)設(shè)備

1.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：精密測(cè)量納安級(jí)漏電流及皮法級(jí)寄生電容

2.TektronixDPO73304S示波器：30GHz帶寬捕捉亞納秒級(jí)信號(hào)跳變

3.ThermotronESX-3M溫箱：實(shí)現(xiàn)0.5℃精度的三溫區(qū)循環(huán)測(cè)試

4.Chroma3380PVI多路電源系統(tǒng)：同步監(jiān)控32通道供電參數(shù)

5.EMTESTUCS500N靜電發(fā)生器：滿足IEC61000-4-2Level4放電要求

6.AgilentN9020B頻譜分析儀：9kHz~26.5GHz頻段EMI輻射掃描

7.HiokiIM3536LCR表：10μHz~8MHz寬頻阻抗特性分析

8.Fluke6100B功率標(biāo)準(zhǔn)源：0.05級(jí)精度電能質(zhì)量模擬

9.ESPECSH-641鹽霧箱：符合NSS/AASS/CASS多種腐蝕試驗(yàn)?zāi)Ｊ?/p>

10.OlympusDSX1000數(shù)碼顯微鏡：1500倍光學(xué)放大進(jìn)行失效定位分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)