晶體溶體檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.晶格常數(shù)測(cè)定:精度0.0001nm,測(cè)量范圍0.2-1.5nm2.相變溫度分析:DSC法測(cè)定精度0.5℃,溫度范圍-170℃~1600℃3.元素分布掃描:EDS/WDS聯(lián)用分析,空間分辨率≤1μm4.結(jié)晶度計(jì)算:XRD全譜擬合法誤差≤2%5.溶體粘度測(cè)試:旋轉(zhuǎn)流變儀測(cè)量范圍0.1-10^7mPas檢測(cè)范圍1.半導(dǎo)體單晶材料:硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等襯底片2.金屬合金體系:鎳基高溫合金、鈦鋁合金、形狀記憶合金等3.功能陶瓷材料:壓電陶瓷(PZT)、透明陶瓷(AlON)、
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.晶格常數(shù)測(cè)定:精度0.0001nm,測(cè)量范圍0.2-1.5nm
2.相變溫度分析:DSC法測(cè)定精度0.5℃,溫度范圍-170℃~1600℃
3.元素分布掃描:EDS/WDS聯(lián)用分析,空間分辨率≤1μm
4.結(jié)晶度計(jì)算:XRD全譜擬合法誤差≤2%
5.溶體粘度測(cè)試:旋轉(zhuǎn)流變儀測(cè)量范圍0.1-10^7mPas
1.半導(dǎo)體單晶材料:硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等襯底片
2.金屬合金體系:鎳基高溫合金、鈦鋁合金、形狀記憶合金等
3.功能陶瓷材料:壓電陶瓷(PZT)、透明陶瓷(AlON)、熱障涂層(YSZ)
4.光學(xué)晶體材料:氟化鈣(CaF2)、鈮酸鋰(LiNbO3)、藍(lán)寶石(Al2O3)
5.藥物共晶體系:API-輔料共晶物、多晶型藥物制劑
ASTME112-13晶粒度測(cè)定方法
ISO17470:2014微區(qū)X射線熒光光譜法
GB/T13301-2019金屬材料相變溫度測(cè)試規(guī)程
ASTMD3418-15差示掃描量熱法(DSC)
GB/T30704-2014X射線衍射定量相分析
1.RigakuSmartLabX射線衍射儀:配備高溫附件(1600℃),可進(jìn)行原位晶體結(jié)構(gòu)分析
2.NetzschSTA449F5同步熱分析儀:集成DSC-TG模塊,溫度分辨率0.1℃
3.FEIScios2雙束電鏡系統(tǒng):配置EDAXOctaneElite能譜儀,空間分辨率0.8nm
4.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD系統(tǒng):配備PIXcel3D探測(cè)器,角度重現(xiàn)性0.0001
5.AntonPaarMCR702流變儀:扭矩分辨率0.1nNm,溫控精度0.1℃
6.BrukerD8ADVANCEXRD:配備LYNXEYEXE探測(cè)器,掃描速度5000deg/min
7.ShimadzuEPMA-8050G電子探針:波長(zhǎng)分辨率5eV,元素分析范圍B-U
8.TAInstrumentsQ600SDT同步熱分析儀:最大升溫速率100℃/min
9.ZeissSigma500場(chǎng)發(fā)射電鏡:二次電子分辨率0.8nm@15kV
10.PerkinElmerDSC8500:靈敏度0.1μW,溫度掃描范圍-180℃~750℃
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
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