參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.電氣參數(shù)：包括工作電壓（5%精度）、靜態(tài)電流（0.1μA分辨率）、動(dòng)態(tài)功耗（10mW~50W量程）及信號(hào)傳輸延遲（ps級(jí)測(cè)量）。

2.物理特性：芯片尺寸（0.01mm公差）、引腳間距（0.4mm~1.27mm范圍）、焊球共面性（≤50μm偏差）及封裝厚度（0.2mm~5mm）。

3.溫度性能：工作溫度范圍（-40℃~+150℃）、存儲(chǔ)極限溫度（-65℃~+175℃）及熱阻參數(shù)（θJA值≤30℃/W）。

4.封裝完整性：氣密性測(cè)試（氦質(zhì)譜檢漏≤110??Pam/s）、抗?jié)竦燃?jí)（MSL1~3級(jí)判定）及機(jī)械沖擊（1500G/0.5ms）。

5.功能驗(yàn)證：邏輯門延遲（100ps級(jí)測(cè)量）、存儲(chǔ)單元讀寫周期（10ns精度）及IP核兼容性（JTAG邊界掃描）。

檢測(cè)范圍

1.數(shù)字邏輯芯片：包括CPU、GPU及FPGA等處理器件

2.模擬信號(hào)芯片：涵蓋ADC/DAC轉(zhuǎn)換器、運(yùn)算放大器

3.存儲(chǔ)器件：DRAM、NANDFlash及EEPROM系列

4.微控制器：ARM架構(gòu)MCU及RISC-V內(nèi)核芯片

5.電源管理IC：DC-DC轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器及PMU模塊

檢測(cè)方法

1.ASTMF1241-2018半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

2.ISO16750-4:2010道路車輛環(huán)境條件試驗(yàn)規(guī)范

3.GB/T4587-1994半導(dǎo)體分立器件測(cè)試方法

4.JEDECJESD22-A104F溫度循環(huán)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

5.GB/T4937-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

檢測(cè)設(shè)備

1.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：支持IV/CV曲線掃描及超低電流測(cè)量

2.ThermoStreamT-2600溫度沖擊試驗(yàn)箱：-80℃~+225℃快速溫變系統(tǒng)

3.OlympusDSX1000數(shù)碼顯微鏡：20nm分辨率三維形貌測(cè)量

4.AdvantestT2000自動(dòng)化測(cè)試機(jī)：數(shù)字/模擬混合信號(hào)綜合測(cè)試平臺(tái)

5.NordsonDAGE4000推拉力計(jì)：50g~500kg焊接強(qiáng)度測(cè)試

6.AgilentN6705B直流電源分析儀：多通道動(dòng)態(tài)功耗分析模塊

7.ESPECSH-261環(huán)境試驗(yàn)箱：雙85試驗(yàn)（85℃/85%RH）專用設(shè)備

8.CohuCM300xi探針臺(tái)：300mm晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

9.X-rayXTH225ST微焦點(diǎn)檢測(cè)儀：20μm分辨率封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)成像

10.TektronixDPO73304S示波器：33GHz帶寬高速信號(hào)采集分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)