參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

1.線寬分辨率：測量范圍0.1-500μm，精度5nm（SEM輔助）
2.側壁垂直度：角度偏差≤0.5，采用激光干涉儀測量
3.表面粗糙度：Ra值0.01-1.6μm（白光干涉儀）
4.層間對準精度：套刻誤差≤50nm（光學對準系統(tǒng)）
5.深寬比：典型值10:1至100:1（X射線斷層掃描）

檢測范圍

1.半導體光刻膠結構：SU-8、PMMA等光敏聚合物
2.金屬微模具：鎳、銅電鑄成型件
3.MEMS傳感器：加速度計/陀螺儀微結構
4.光學元件：衍射光柵/微透鏡陣列
5.生物芯片：微流控通道及反應腔體

檢測方法

ASTME2867-18《X射線光刻工藝表征標準》
ISO14606:2015《同步輻射光刻工藝規(guī)范》
GB/T30214-2013《微機電系統(tǒng)制造工藝檢測通則》
GB/T35023-2018《LIGA技術加工產品幾何量規(guī)范》
VDI/VDE2630Part3《微型模具幾何量測量指南》

檢測設備

1.ZeissSigma500場發(fā)射掃描電鏡（SEM）：分辨率0.8nm@15kV
2.BrukerContourGT-X3白光干涉儀：垂直分辨率0.01nm
3.KeyenceLM-3000激光共聚焦顯微鏡：Z軸重復精度10nm
4.NikonMM-400測量顯微鏡：最大放大倍率1500X
5.Agilent5500原子力顯微鏡（AFM）：掃描范圍9090μm
6.MalvernPanalyticalEmpyreanX射線衍射儀：角度重復性0.0001
7.MitutoyoCMM-CrystaApexS坐標測量機：空間精度(1.9+L/250)μm
8.OxfordInstrumentsX-MaxNSDD能譜儀：元素分析范圍B-U
9.HamamatsuX射線CT系統(tǒng)：最小體素尺寸0.5μm
10.KLA-TencorP-17表面輪廓儀：臺階高度測量精度0.3nm

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質