參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.位錯密度測定：測量單位體積內(nèi)位錯線總長度（cm/cm），誤差范圍≤5%

2.位錯分布形態(tài)分析：表征滑移帶/胞狀結(jié)構(gòu)占比（μm級分辨率）

3.位錯類型鑒別：區(qū)分刃型/螺型/混合型位錯（Burgers矢量測定）

4.位錯運動特性測試：臨界剪切應(yīng)力測量（0.1-500MPa量程）

5.位錯相互作用研究：相鄰位錯間距統(tǒng)計（2nm精度）

檢測范圍

1.金屬材料：鋁合金（AA6061-T6）、鈦合金（Ti-6Al-4V）等

2.半導(dǎo)體材料：單晶硅（<100>晶向）、砷化鎵（GaAs）晶圓

3.陶瓷材料：氧化鋁（Al?O?）、氮化硅（Si?N?）燒結(jié)體

4.復(fù)合材料：碳纖維增強環(huán)氧樹脂基體（CFRP）

5.高溫合金：鎳基超合金（Inconel718）

檢測方法

ASTME112-13：晶粒度測定中的位錯密度關(guān)聯(lián)分析法

ISO24173:2009：透射電鏡電子衍射法定量表征Burgers矢量

GB/T24177-2009：X射線衍射線形分析法測定位錯密度

ISO16700:2016：掃描電鏡電子通道襯度成像技術(shù)（ECCI）

GB/T35099-2018：原子力顯微鏡納米壓痕法間接評估位錯運動

檢測設(shè)備

1.FEITecnaiG2F20透射電鏡：200kV場發(fā)射槍，0.19nm點分辨率

2.JEOLJSM-7900F掃描電鏡：低電壓ECCI模式（≤5kV）

3.BrukerD8ADVANCEX射線衍射儀：Cu靶Kα輻射（λ=0.15406nm）

4.HysitronTIPremier納米壓痕儀：最大載荷10mN，位移分辨率0.02nm

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系統(tǒng)：70傾角模式采集菊池帶

6.ZeissLSM900激光共聚焦顯微鏡：405nm激光光源，Z軸分辨率120nm

7.ParkNX20原子力顯微鏡：非接觸模式掃描（10μm10μm量程）

8.GatanK3IS相機：DED模式快速采集TEM動態(tài)過程（1600fps）

9.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平臺：高溫原位測試模塊（RT-1600℃）

10.HitachiHF5000場發(fā)射TEM：冷場發(fā)射源束流穩(wěn)定性≤0.4%/h

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)