表面膜勢(shì)檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.表面電位分布:測(cè)量范圍2000mV,分辨率0.1mV2.極化曲線測(cè)試:掃描速率0.1-100mV/s,電位范圍-1500mV至+2000mV3.腐蝕電流密度:精度1nA/cm,溫度范圍20-80℃4.膜層電阻率:測(cè)量頻率10mHz-1MHz,阻抗范圍1Ωcm至10MΩcm5.開路電位穩(wěn)定性:監(jiān)測(cè)時(shí)長(zhǎng)24-168h,數(shù)據(jù)采樣間隔1s-60min檢測(cè)范圍1.金屬材料:不銹鋼、鋁合金、鈦合金等防腐蝕金屬2.半導(dǎo)體材料:硅片、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)晶圓3.涂層材料:防腐涂層(環(huán)氧樹脂)、
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.表面電位分布:測(cè)量范圍2000mV,分辨率0.1mV
2.極化曲線測(cè)試:掃描速率0.1-100mV/s,電位范圍-1500mV至+2000mV
3.腐蝕電流密度:精度1nA/cm,溫度范圍20-80℃
4.膜層電阻率:測(cè)量頻率10mHz-1MHz,阻抗范圍1Ωcm至10MΩcm
5.開路電位穩(wěn)定性:監(jiān)測(cè)時(shí)長(zhǎng)24-168h,數(shù)據(jù)采樣間隔1s-60min
1.金屬材料:不銹鋼、鋁合金、鈦合金等防腐蝕金屬
2.半導(dǎo)體材料:硅片、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)晶圓
3.涂層材料:防腐涂層(環(huán)氧樹脂)、導(dǎo)電涂層(ITO薄膜)
4.復(fù)合材料:碳纖維增強(qiáng)聚合物(CFRP)、金屬基復(fù)合材料
5.生物醫(yī)用材料:鈦合金植入體、醫(yī)用不銹鋼器械
1.ASTMG5-14:動(dòng)電位極化曲線測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
2.ISO17475:2005:電化學(xué)阻抗譜(EIS)分析方法
3.GB/T17899-1999:不銹鋼點(diǎn)蝕電位測(cè)量規(guī)范
4.ASTMB117-19:鹽霧環(huán)境下膜層耐蝕性測(cè)試
5.GB/T3138-2015:金屬覆蓋層孔隙率電化學(xué)檢測(cè)法
1.PrincetonAppliedResearchVersaSTAT4:多通道電化學(xué)工作站,支持EIS和極化測(cè)試
2.GamryReference600+:高精度恒電位儀,分辨率0.1fA
3.SolartronAnalytical1287A:寬頻阻抗分析儀,頻率范圍10μHz-32MHz
4.Bio-LogicSP-300:多頻EIS系統(tǒng),支持高溫高壓環(huán)境測(cè)試
5.ZahnerZenniumPro:光電壓耦合電化學(xué)分析平臺(tái)
6.MetrohmAutolabPGSTAT204:集成式電化學(xué)工作站,支持多電極體系
7.KeysightB2900A:精密源表模塊化系統(tǒng),電流分辨率0.1pA
8.HIOKIIM3590:化學(xué)阻抗分析儀,基本精度0.05%
9.CorrTestCS350:腐蝕電化學(xué)測(cè)試系統(tǒng),內(nèi)置鹽霧模擬模塊
10.AMETEKPARSTAT4000A:全自動(dòng)多任務(wù)電化學(xué)測(cè)試平臺(tái)
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
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