氧空位檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.氧空位濃度測(cè)定:測(cè)量單位體積內(nèi)氧空位數(shù)量(cm?),精度5%2.空位分布表征:三維空間分辨率≤1nm,元素面分布成像3.空位形成能計(jì)算:基于DFT理論模擬(0-10eV范圍)4.電子態(tài)密度分析:費(fèi)米能級(jí)5eV范圍內(nèi)態(tài)密度曲線5.遷移活化能測(cè)試:溫度范圍300-1200K,精度0.05eV檢測(cè)范圍1.金屬氧化物:TiO?、ZnO、CeO?等半導(dǎo)體/催化材料2.鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料:SrTiO?、LaCoO?等能源轉(zhuǎn)換器件3.固態(tài)電解質(zhì):YSZ、LLZO等鋰離子導(dǎo)體4.二維材料:MoS?、h-BN等層狀
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.氧空位濃度測(cè)定:測(cè)量單位體積內(nèi)氧空位數(shù)量(cm?),精度5%
2.空位分布表征:三維空間分辨率≤1nm,元素面分布成像
3.空位形成能計(jì)算:基于DFT理論模擬(0-10eV范圍)
4.電子態(tài)密度分析:費(fèi)米能級(jí)5eV范圍內(nèi)態(tài)密度曲線
5.遷移活化能測(cè)試:溫度范圍300-1200K,精度0.05eV
1.金屬氧化物:TiO?、ZnO、CeO?等半導(dǎo)體/催化材料
2.鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料:SrTiO?、LaCoO?等能源轉(zhuǎn)換器件
3.固態(tài)電解質(zhì):YSZ、LLZO等鋰離子導(dǎo)體
4.二維材料:MoS?、h-BN等層狀化合物
5.高溫超導(dǎo)材料:YBCO、BSCCO等銅氧化物
1.X射線光電子能譜法(XPS):ISO15472:2010表面化學(xué)分析標(biāo)準(zhǔn)
2.電子順磁共振(EPR):ASTME3039-15順磁特性測(cè)試規(guī)范
3.正電子湮滅譜(PAS):GB/T39498-2020缺陷表征方法
4.拉曼光譜分析:ISO20310:2017晶格振動(dòng)模式識(shí)別
5.透射電子顯微鏡(TEM):GB/T35033-2018原子尺度缺陷觀測(cè)
1.ThermoScientificK-AlphaXPS:?jiǎn)紊疉lKα源(1486.6eV),空間分辨率30μm
2.BrukerEMXplusEPR:工作頻率9-10GHz,溫度范圍4-500K
3.JEOLJEM-ARM300FTEM:球差校正電鏡,點(diǎn)分辨率0.05nm
4.RenishawinViaRaman:532/785nm雙激光源,光譜分辨率1cm?
5.OrtecHPGeγ能譜儀:能量分辨率≤1.8keV@1.33MeV
6.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD:Cu靶Kα輻射(λ=1.5406)
7.QuantumDesignPPMS-9TEC:綜合物性測(cè)量系統(tǒng)(1.9-400K)
8.Agilent5500AFM:接觸/輕敲雙模式,Z軸分辨率0.1nm
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析氧空位檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢(xún)?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€工程師
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