參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.閾值電壓值（Vth）：測量器件導通臨界點電壓值范圍0.1V至5V
2.溫度系數(shù)（TCVth）：評估-55℃至+150℃溫區(qū)內(nèi)Vth漂移量
3.漏電流（Ioff）：測試關(guān)斷狀態(tài)下10nA至100μA級泄漏電流
4.擊穿電壓（BVdss）：測定器件耐壓特性范圍30V至1200V
5.動態(tài)響應(yīng)時間（tr/tf）：捕捉納秒級上升/下降沿時間參數(shù)

檢測范圍

1.硅基半導體材料：包括單晶硅、多晶硅及SOI晶圓
2.寬禁帶半導體：碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）功率器件
3.MOSFET/IGBT：平面柵/溝槽柵結(jié)構(gòu)功率晶體管
4.TFT陣列：低溫多晶硅/氧化物半導體薄膜晶體管
5.有機半導體：OLED顯示驅(qū)動器件及柔性電子元件

檢測方法

1.ASTMF617M-20：傳輸特性曲線法測定MOSFET閾值電壓
2.ISO16700:2019：電容-電壓掃描法表征界面態(tài)密度
3.GB/T4587-2021：三端器件靜態(tài)參數(shù)測試通用規(guī)范
4.GB4937-2023：半導體分立器件熱特性測試方法
5.JEDECJESD24-8：高壓器件動態(tài)參數(shù)測試標準

檢測設(shè)備

1.KeysightB1505A功率器件分析儀：支持3000V/1500A高壓大電流測試
2.Tektronix4200A-SCS參數(shù)分析儀：實現(xiàn)fA級超低電流測量精度
3.CascadeSummit12000探針臺：支持300mm晶圓級參數(shù)提取
4.AgilentE5270B精密源表模塊：集成8通道并行測試能力
5.Keithley2636B雙通道源表：適用于有機半導體低頻特性分析
6.FormFactorCM300xi-ULN探針卡：支持-196℃至+300℃極端溫度測試
7.AdvantestT6391A高壓測試單元：滿足10kV級超高壓器件需求
8.HiokiIM3590化學阻抗分析儀：用于介電層質(zhì)量評估
9.ThermoStreamT-605環(huán)境箱：提供精確溫濕度控制環(huán)境
10.OmicronBode100頻響分析儀：執(zhí)行10μHz至50MHz寬頻C-V測試

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)