參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶界角度偏差：測量相鄰晶粒間取向差角（0.1-10范圍）
2.晶粒尺寸分布：統(tǒng)計平均晶粒直徑（0.5-200μm）
3.取向一致性：測定晶體學(xué)取向偏離角（2以內(nèi)）
4.界面能分布：計算界面能密度（單位：J/m）
5.位錯密度：定量分析單位面積位錯線數(shù)量（10?-10/m）

檢測范圍

1.金屬合金：鋁合金（AA6061/7075）、鈦合金（Ti-6Al-4V）
2.半導(dǎo)體材料：單晶硅（Si）、砷化鎵（GaAs）
3.陶瓷材料：氧化鋁（Al?O?）、氮化硅（Si?N?）
4.單晶高溫合金：鎳基超合金（CMSX-4/IN718）
5.光伏材料：多晶硅片（156156mm）

檢測方法

國際標準：
-ASTME112晶粒度測定標準
-ISO643鋼的奧氏體晶粒度測定
-ASTME2627電子背散射衍射標準
國家標準：
-GB/T6394-2017金屬平均晶粒度測定
-GB/T13298-2015金屬顯微組織檢驗
-GB/T4334-2020金屬材料電子背散射衍射分析方法

檢測設(shè)備

1.蔡司場發(fā)射掃描電鏡GeminiSEM500：配備EBSD探測器（分辨率≤0.5μm）
2.牛津儀器EBSD系統(tǒng)SymmetryS2：支持高速面掃（3000點/秒）
3.布魯克X射線衍射儀D8ADVANCE：配備Euleriancradle測角儀
4.TSLOIMAnalysis軟件：實現(xiàn)晶體取向成像與統(tǒng)計
5.FEIHeliosG4UX聚焦離子束：三維晶體重構(gòu)（定位精度5nm）
6.KeyenceVHX-7000數(shù)字顯微鏡：大視野拼接（最大20000）
7.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD：小角散射模式（q范圍0.01-30nm?）
8.LeicaDM2700M金相顯微鏡：偏振光觀察（500光學(xué)放大）
9.HitachiRegulus8230冷場電鏡：低電壓成像（0.1-30kV可調(diào)）
10.GatanClaraCCD相機：低噪聲EBSD信號采集

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)