參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶界取向差角測量：量化相鄰晶粒間晶體學(xué)取向偏差（5-62范圍）

2.界面能梯度分析：測定單位面積界面能（0.1-2.5J/m精度）

3.位錯密度計算：通過TEM圖像解析位錯線密度（10?-10m/m）

4.元素偏析度測試：采用EDS/WDS測定晶界區(qū)域特征元素富集系數(shù)（0.1-10倍基準(zhǔn)）

5.熱穩(wěn)定性評估：高溫原位觀測晶界遷移速率（0.01-100nm/s量程）

檢測范圍

1.鎳基高溫合金：航空發(fā)動機渦輪葉片定向凝固材料

2.奧氏體不銹鋼：核反應(yīng)堆壓力容器焊接接頭區(qū)域

3.變形鋁合金：汽車車身板材軋制加工件

4.單晶硅片：半導(dǎo)體集成電路基底材料

5.鈦合金骨科植入物：3D打印多孔結(jié)構(gòu)件

檢測方法

ASTME2627-19：電子背散射衍射定量分析標(biāo)準(zhǔn)

ISO24173:2009：微束衍射晶體學(xué)取向測定規(guī)范

GB/T13298-2015：金屬顯微組織檢驗方法

GB/T18876.2-2018：微束分析電子背散射衍射通則

ISO16700:2016：掃描電鏡性能表征標(biāo)準(zhǔn)

檢測設(shè)備

1.ZEISSGeminiSEM500：場發(fā)射掃描電鏡（配備OxfordSymmetryEBSD探測器）

2.ThermoFisherTalosF200X：200kV場發(fā)射透射電鏡（SuperXEDS系統(tǒng)）

3.Brukere-FlashHRPlus：高分辨率EBSD探測器（全花樣采集速度＞3000pps）

4.GatanK3IS相機：直接電子探測相機（支持4D-STEM技術(shù)）

5.OxfordInstrumentsUltimMax170：大面積硅漂移探測器（100mm有效面積）

6.JEOLJIB-4700F：聚焦離子束加工系統(tǒng)（5nm加工精度）

7.ShimadzuEBSD-7000：高溫原位分析系統(tǒng)（最高1500℃環(huán)境控制）

8.BrukerD8Discover：X射線衍射儀（微區(qū)EBSD聯(lián)用模塊）

9.LeicaEMTIC3X：三離子束切割儀（樣品制備專用設(shè)備）

10.FEIApreo2S：低真空掃描電鏡（大樣品室三維重構(gòu)功能）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)