參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶體尺寸偏差：測量長/寬/厚三維尺寸公差（0.5μm）
2.晶格常數(shù)測定：分析a/b/c軸參數(shù)（精度0.001）
3.表面粗糙度：Ra值檢測（范圍0.01-1.6μm）
4.晶向偏離度：測定主晶面與理論角偏差（0.05）
5.缺陷密度：統(tǒng)計位錯/層錯密度（單位：cm?）

檢測范圍

1.半導(dǎo)體單晶：硅(Si)、砷化鎵(GaAs)晶圓
2.光學(xué)晶體：氟化鈣(CaF?)、藍寶石(Al?O?)
3.壓電晶體：石英(SiO?)、鈮酸鋰(LiNbO?)
4.超硬晶體：金剛石(C)、立方氮化硼(c-BN)
5.閃爍晶體：碘化鈉(NaI)、鍺酸鉍(BGO)

檢測方法

1.ASTMF534-17：硅晶片厚度測量規(guī)范
2.ISO14706:2014：表面金屬污染XPS分析法
3.GB/T1555-2021：半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
4.ISO13067:2020：電子背散射衍射(EBSD)分析
5.GB/T34879-2017：碳化硅單晶缺陷測試規(guī)程

檢測設(shè)備

1.BrukerD8ADVANCEX射線衍射儀：晶格常數(shù)測定
2.MitutoyoLSM-9000激光掃描顯微鏡：三維尺寸測量
3.ZygoNewView9000白光干涉儀：表面形貌分析
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系統(tǒng)：晶向標定
5.KLA-TencorSurfscanSP7缺陷檢測儀：表面缺陷統(tǒng)計
6.Agilent5500原子力顯微鏡：納米級粗糙度測量
7.RigakuSmartLab高分辨衍射儀：應(yīng)力/應(yīng)變分析
8.KeyenceVHX-7000數(shù)碼顯微鏡：宏觀缺陷觀測
9.ThermoFisherScios2雙束電鏡：微觀結(jié)構(gòu)表征
10.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光譜儀：成分驗證

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)