氮化鎵外延片檢測摘要:氮化鎵外延片檢測專注于評估晶體結(jié)構(gòu)、電學性能和缺陷特征等核心參數(shù),確保材料質(zhì)量符合半導體應用要求。專業(yè)檢測涵蓋厚度精度、載流子濃度和表面完整性等關(guān)鍵項目,嚴格遵循國際和國家標準方法。
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
外延層厚度:測量精度±1nm(SEMI MF1528)
載流子濃度:范圍101?~102? cm?3(ISO 14707)
電子遷移率:測試條件室溫,單位cm2/V·s(GB/T 4937)
位錯密度:分辨率10? cm?2(ASTM E2090)
表面粗糙度:Ra值測量范圍0.1~100nm(ISO 4287)
晶體取向:偏差角精度±0.1°(GB/T 17359)
應力分析:壓/張應力測量范圍±2GPa(ISO 20341)
成分純度:雜質(zhì)檢出限0.1ppm(ASTM E1504)
光學帶隙:波長誤差±0.01eV(ISO 18554)
缺陷密度:暗點計數(shù)精度95%(SEMI M73)
層間界面質(zhì)量:界面粗糙度<0.5nm(GB/T 19619)
摻雜均勻性:變異系數(shù)<5%(ISO 14707)
藍寶石基氮化鎵外延片
硅基氮化鎵功率器件外延片
碳化硅基氮化鎵射頻外延片
同質(zhì)氮化鎵-on-氮化鎵外延片
LED應用氮化鎵外延片
HEMT器件氮化鎵外延片
激光二極管氮化鎵外延片
n型摻雜氮化鎵外延片
p型摻雜氮化鎵外延片
多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)氮化鎵外延片
緩沖層氮化鎵外延片
超晶格氮化鎵外延片
X射線衍射法:晶體結(jié)構(gòu)分析(ASTM E1426)
霍爾效應測試法:載流子參數(shù)測量(ISO 14707)
原子力顯微術(shù):表面形貌評估(GB/T 19619)
光致發(fā)光光譜法:光學性能檢測(ISO 18554)
二次離子質(zhì)譜法:成分深度剖析(ASTM E1504)
掃描電子顯微術(shù):微觀結(jié)構(gòu)觀察(GB/T 17359)
拉曼光譜法:應力分布測定(ISO 20341)
透射電子顯微術(shù):位錯密度分析(ASTM E2090)
電容-電壓測試法:摻雜濃度評估(GB/T 4937)
橢圓偏振光譜法:厚度和光學常數(shù)測量(ISO 13468)
光刻圖形化檢測:圖案精度驗證(SEMI P35)
熱導率測試法:材料散熱性能分析(ASTM E1461)
X射線衍射儀Model XRD-2024:高分辨率晶體分析(符合ASTM E1426)
霍爾效應測量系統(tǒng)Model HEMS-300:載流子濃度和遷移率測試(范圍101?~102? cm?3)
原子力顯微鏡Model AFM-Pro:納米級表面粗糙度成像(分辨率0.1nm)
光致發(fā)光光譜儀Model PL-550:光學帶隙測量(波長范圍300~800nm)
二次離子質(zhì)譜儀Model SIMS-800:雜質(zhì)深度剖析(檢出限0.1ppm)
掃描電子顯微鏡Model SEM-Ultra:微觀缺陷觀察(放大倍數(shù)10x~500,000x)
拉曼光譜儀Model Raman-Expert:應力分布檢測(光譜范圍100~4000cm?1)
透射電子顯微鏡Model TEM-Adv:位錯密度分析(點分辨率0.2nm)
電容-電壓測試儀Model CV-Tester:摻雜均勻性評估(頻率1kHz~1MHz)
橢圓偏振儀Model Ellips-360:厚度和光學常數(shù)測定(角度范圍45~90度)
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。
標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。
非標測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務。
中析氮化鎵外延片檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2021-03-15
2023-06-28