參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

外延層厚度：測量精度±1nm（SEMI MF1528）

載流子濃度：范圍101?~102? cm?3（ISO 14707）

電子遷移率：測試條件室溫，單位cm2/V·s（GB/T 4937）

位錯密度：分辨率10? cm?2（ASTM E2090）

表面粗糙度：Ra值測量范圍0.1~100nm（ISO 4287）

晶體取向：偏差角精度±0.1°（GB/T 17359）

應力分析：壓/張應力測量范圍±2GPa（ISO 20341）

成分純度：雜質(zhì)檢出限0.1ppm（ASTM E1504）

光學帶隙：波長誤差±0.01eV（ISO 18554）

缺陷密度：暗點計數(shù)精度95%（SEMI M73）

層間界面質(zhì)量：界面粗糙度<0.5nm（GB/T 19619）

摻雜均勻性：變異系數(shù)<5%（ISO 14707）

檢測范圍

藍寶石基氮化鎵外延片

硅基氮化鎵功率器件外延片

碳化硅基氮化鎵射頻外延片

同質(zhì)氮化鎵-on-氮化鎵外延片

LED應用氮化鎵外延片

HEMT器件氮化鎵外延片

激光二極管氮化鎵外延片

n型摻雜氮化鎵外延片

p型摻雜氮化鎵外延片

多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)氮化鎵外延片

緩沖層氮化鎵外延片

超晶格氮化鎵外延片

檢測方法

X射線衍射法：晶體結(jié)構(gòu)分析（ASTM E1426）

霍爾效應測試法：載流子參數(shù)測量（ISO 14707）

原子力顯微術(shù)：表面形貌評估（GB/T 19619）

光致發(fā)光光譜法：光學性能檢測（ISO 18554）

二次離子質(zhì)譜法：成分深度剖析（ASTM E1504）

掃描電子顯微術(shù)：微觀結(jié)構(gòu)觀察（GB/T 17359）

拉曼光譜法：應力分布測定（ISO 20341）

透射電子顯微術(shù)：位錯密度分析（ASTM E2090）

電容-電壓測試法：摻雜濃度評估（GB/T 4937）

橢圓偏振光譜法：厚度和光學常數(shù)測量（ISO 13468）

光刻圖形化檢測：圖案精度驗證（SEMI P35）

熱導率測試法：材料散熱性能分析（ASTM E1461）

檢測設備

X射線衍射儀Model XRD-2024：高分辨率晶體分析（符合ASTM E1426）

霍爾效應測量系統(tǒng)Model HEMS-300：載流子濃度和遷移率測試（范圍101?~102? cm?3）

原子力顯微鏡Model AFM-Pro：納米級表面粗糙度成像（分辨率0.1nm）

光致發(fā)光光譜儀Model PL-550：光學帶隙測量（波長范圍300~800nm）

二次離子質(zhì)譜儀Model SIMS-800：雜質(zhì)深度剖析（檢出限0.1ppm）

掃描電子顯微鏡Model SEM-Ultra：微觀缺陷觀察（放大倍數(shù)10x~500,000x）

拉曼光譜儀Model Raman-Expert：應力分布檢測（光譜范圍100~4000cm?1）

透射電子顯微鏡Model TEM-Adv：位錯密度分析（點分辨率0.2nm）

電容-電壓測試儀Model CV-Tester：摻雜均勻性評估（頻率1kHz~1MHz）

橢圓偏振儀Model Ellips-360：厚度和光學常數(shù)測定（角度范圍45~90度）

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)