參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶體取向分析：測定單晶/多晶材料的[001]、[101]等晶向偏差（0.1精度）
2.晶界特征分析：識別小角度晶界（2-15）和大角度晶界（＞15）分布
3.相鑒定與分布：基于晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫匹配物相（空間分辨率≤0.1μm）
4.應變分布測量：通過菊池帶質(zhì)量因子計算局部應變（靈敏度≥0.1%）
5.織構(gòu)分析：測定極圖與反極圖（ODF計算步長≤5）

檢測范圍

1.金屬及合金：鋁合金（AA6061）、鈦合金（Ti-6Al-4V）等航空航天材料
2.半導體材料：單晶硅片（晶向偏離＜0.5）、GaN外延層
3.陶瓷材料：氧化鋯（YSZ）熱障涂層、碳化硅結(jié)構(gòu)陶瓷
4.地質(zhì)礦物：石英巖結(jié)晶取向組構(gòu)分析
5.復合材料：鈦基復合材料（TiBw/Ti）增強相分布表征

檢測方法

ASTME2627-19《取向成像顯微術(shù)標準指南》
ISO24173:2009《微束分析-電子背散射衍射分析方法》
GB/T35099-2018《微束分析電子背散射衍射分析方法通則》
GB/T36422-2018《表面化學分析電子背散射衍射定量分析》
ISO16700:2016《微束分析-掃描電鏡校準指南》

檢測設備

1.OxfordInstrumentsSymmetryS2：配備CMOS探測器，最高采集速度4000點/秒
2.EDAXHikariSuperEBSD：支持動態(tài)背景扣除技術(shù)，空間分辨率3nm
3.BrukereFlashFS：集成能譜儀（EDS），實現(xiàn)同步成分-取向分析
4.TSLOIMAnalysisv8：提供高級GBCD（晶界特征分布）計算模塊
5.JEOLJSM-7900F：配備場發(fā)射電子槍（加速電壓0.1-30kV）
6.ZeissGeminiSEM500：鏡筒內(nèi)透鏡設計提升低電壓分辨率
7.ThermoScientificApreo2：低真空模式支持非導電樣品測試
8.HitachiSU9000：冷場發(fā)射源實現(xiàn)0.7nm@15kV高分辨率
9.ShimadzuEPMA-8050G：聯(lián)用波譜儀（WDS）進行微量元素校正
10.TescanMiraLMS：集成FIB系統(tǒng)實現(xiàn)三維EBSD重構(gòu)

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)