缺陷半導(dǎo)體檢測摘要:缺陷半導(dǎo)體檢測是保障半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),重點針對晶體結(jié)構(gòu)缺陷、電學(xué)性能異常及表面污染等核心指標(biāo)進行系統(tǒng)性分析。檢測涵蓋載流子濃度、位錯密度、雜質(zhì)分布等關(guān)鍵參數(shù),采用霍爾效應(yīng)測試儀、X射線衍射儀等精密設(shè)備執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)化檢測流程。本文依據(jù)ASTM、ISO及GB/T系列標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范闡述技術(shù)要點。
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
1.載流子濃度檢測:測量范圍1E14-1E19cm,精度3%
2.位錯密度分析:分辨率≥1000etchpits/cm
3.表面顆粒污染:粒徑檢測下限0.1μm
4.氧碳含量測定:FTIR光譜法檢測范圍5E15-2E17atoms/cm
5.晶格畸變率:XRD半峰寬測量精度0.002
1.單晶硅片(直徑200-300mm)
2.III-V族化合物半導(dǎo)體(GaAs,GaN等)
3.功率器件外延層(SiC,GaN-on-Si)
4.MEMS傳感器結(jié)構(gòu)層
5.光電器件量子阱結(jié)構(gòu)
1.ASTMF1523-2021四探針電阻率測試規(guī)范
2.ISO14644-1Class0潔凈室顆粒檢測標(biāo)準(zhǔn)
3.GB/T6495.3-2023光伏器件光譜響應(yīng)測試
4.ASTMF76-08(2020)霍爾效應(yīng)參數(shù)測量規(guī)程
5.GB/T35098-2018X射線衍射法測定單晶取向
1.KLA-TencorSurfscanSP3:表面顆粒掃描儀(0.12μm靈敏度)
2.Agilent4156C:精密半導(dǎo)體參數(shù)分析儀(1fA電流分辨率)
3.BrukerD8Discover:高分辨X射線衍射系統(tǒng)(0.0001角度精度)
4.ThermoFisheriCAPRQ:ICP-MS元素分析儀(ppt級檢出限)
5.ParkNX20:原子力顯微鏡(0.1nm縱向分辨率)
6.OxfordInstrumentsPlasmaPro100:深能級瞬態(tài)譜儀
7.HamamatsuC12132:低溫光致發(fā)光測試系統(tǒng)(4K溫控)
8.HitachiSU9000:場發(fā)射掃描電鏡(0.4nm@15kV分辨率)
9.KeysightB1500A:器件特性分析儀(100μV電壓精度)
10.HoribaLabRAMHREvolution:顯微拉曼光譜儀(0.35cm?光譜分辨率
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。
標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。
非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析缺陷半導(dǎo)體檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細(xì)檢測項目,請咨詢在線工程師
2024-08-24
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