參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.載流子濃度檢測：測量范圍1E14-1E19cm，精度3%
2.位錯密度分析：分辨率≥1000etchpits/cm
3.表面顆粒污染：粒徑檢測下限0.1μm
4.氧碳含量測定：FTIR光譜法檢測范圍5E15-2E17atoms/cm
5.晶格畸變率：XRD半峰寬測量精度0.002

檢測范圍

1.單晶硅片（直徑200-300mm）
2.III-V族化合物半導(dǎo)體（GaAs,GaN等）
3.功率器件外延層（SiC,GaN-on-Si）
4.MEMS傳感器結(jié)構(gòu)層
5.光電器件量子阱結(jié)構(gòu)

檢測方法

1.ASTMF1523-2021四探針電阻率測試規(guī)范
2.ISO14644-1Class0潔凈室顆粒檢測標(biāo)準(zhǔn)
3.GB/T6495.3-2023光伏器件光譜響應(yīng)測試
4.ASTMF76-08(2020)霍爾效應(yīng)參數(shù)測量規(guī)程
5.GB/T35098-2018X射線衍射法測定單晶取向

檢測設(shè)備

1.KLA-TencorSurfscanSP3：表面顆粒掃描儀（0.12μm靈敏度）
2.Agilent4156C：精密半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（1fA電流分辨率）
3.BrukerD8Discover：高分辨X射線衍射系統(tǒng)（0.0001角度精度）
4.ThermoFisheriCAPRQ：ICP-MS元素分析儀（ppt級檢出限）
5.ParkNX20：原子力顯微鏡（0.1nm縱向分辨率）
6.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：深能級瞬態(tài)譜儀
7.HamamatsuC12132：低溫光致發(fā)光測試系統(tǒng)（4K溫控）
8.HitachiSU9000：場發(fā)射掃描電鏡（0.4nm@15kV分辨率）
9.KeysightB1500A：器件特性分析儀（100μV電壓精度）
10.HoribaLabRAMHREvolution：顯微拉曼光譜儀（0.35cm?光譜分辨率

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)