參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

位錯密度測定：測量單位體積內(nèi)位錯線數(shù)量（范圍：1e8-1e12 cm?2）

位錯分布均勻性分析：統(tǒng)計區(qū)域內(nèi)位錯間距標(biāo)準(zhǔn)差（精度±0.5 nm）

平均位錯間距計算：基于TEM圖像采集100組以上有效數(shù)據(jù)點

位錯間距變異系數(shù)：CV值控制在5%-15%區(qū)間

界面位錯密度測量：晶界/相界處位錯密度梯度（分辨率0.1 μm）

檢測范圍

金屬合金：鎳基高溫合金、鈦鋁合金、奧氏體不銹鋼

半導(dǎo)體材料：單晶硅、砷化鎵、氮化鎵外延層

高溫結(jié)構(gòu)材料：碳化硅纖維增強陶瓷基復(fù)合材料

納米結(jié)構(gòu)材料：納米晶銅、多層金屬薄膜

功能涂層：熱障涂層（TBCs）、金剛石類碳膜（DLC）

檢測方法

ASTM E112-13：位錯密度統(tǒng)計分析方法

ISO 16700:2019：TEM圖像校準(zhǔn)與測量規(guī)范

GB/T 13305-2008：金屬材料位錯觀測通則

ASTM F1946-21：半導(dǎo)體材料缺陷表征規(guī)程

GB/T 13298-2015：金屬顯微組織檢驗方法

檢測設(shè)備

JEOL JEM-ARM200F：球差校正透射電鏡，分辨率0.08 nm，配備Gatan K2-IS直接電子探測器

FEI Talos F200X：場發(fā)射透射電鏡，支持STEM-HAADF成像與能譜分析（EDS）

Bruker D8 Discover：高分辨率X射線衍射儀，配備VANTEC-500二維探測器

Zeiss Sigma 500：場發(fā)射掃描電鏡（FESEM），電子束分辨率0.6 nm

Oxford Instruments Symmetry：電子背散射衍射儀（EBSD），角分辨率0.5°

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)