參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

電離效率：測(cè)量范圍0.1-10^6 ions/pulse，誤差≤±2%

離子能量分布：能量分辨率≤0.5 eV@500 eV

二次電子產(chǎn)率：閾值能量檢測(cè)范圍1-1000 eV

表面電荷積累：靈敏度0.1 pC/mm2

元素深度剖面：檢測(cè)深度0.1-10 μm，橫向分辨率≤50 nm

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體材料：硅晶圓、GaN外延片

光學(xué)涂層：MgF?防反射膜、ITO導(dǎo)電膜

金屬薄膜：銅互連層、鋁鈍化層

聚合物基材：聚酰亞胺柔性襯底、PDMS微流控芯片

納米復(fù)合材料：碳納米管增強(qiáng)涂層、石墨烯復(fù)合電極

檢測(cè)方法

ASTM E1127-20 表面電離特性測(cè)試規(guī)范

ISO 18118:2015 電子能譜定量分析方法

GB/T 19647-2019 半導(dǎo)體材料二次離子質(zhì)譜檢測(cè)通則

ISO 15472:2010 X射線光電子能譜儀校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 30704-2014 電子探針顯微分析通用技術(shù)條件

檢測(cè)設(shè)備

Thermo Scientific ESCALAB Xi+ XPS系統(tǒng)：表面元素化學(xué)態(tài)分析，結(jié)合能精度±0.1 eV

PHI 5000 VersaProbe III：三維深度剖面分析，最小束斑1 μm

CAMECA IMS 7f-auto SIMS：質(zhì)量分辨率M/ΔM > 20,000，檢出限0.1 ppb

Kratos AXIS Supra：單色化Al Kα光源，能量步長0.025 eV

Shimadzu EPMA-8050G：波長色散譜儀，元素分析范圍B~U

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)