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多級(jí)電離檢測(cè)

2025-03-18 關(guān)鍵詞:多級(jí)電離測(cè)試周期,多級(jí)電離測(cè)試范圍,多級(jí)電離測(cè)試方法 相關(guān):
多級(jí)電離檢測(cè)

多級(jí)電離檢測(cè)摘要:多級(jí)電離檢測(cè)是一種用于分析材料電離特性及成分分布的關(guān)鍵技術(shù),主要針對(duì)半導(dǎo)體、涂層、薄膜等高精度材料的電離效率、能量分布及污染殘留等參數(shù)進(jìn)行量化分析。檢測(cè)需遵循ASTM、ISO及GB/T標(biāo)準(zhǔn),涵蓋離子遷移率、二次電子產(chǎn)率等核心指標(biāo),確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性和重復(fù)性。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

電離效率:測(cè)量范圍0.1-10^6 ions/pulse,誤差≤±2%

離子能量分布:能量分辨率≤0.5 eV@500 eV

二次電子產(chǎn)率:閾值能量檢測(cè)范圍1-1000 eV

表面電荷積累:靈敏度0.1 pC/mm2

元素深度剖面:檢測(cè)深度0.1-10 μm,橫向分辨率≤50 nm

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體材料:硅晶圓、GaN外延片

光學(xué)涂層:MgF?防反射膜、ITO導(dǎo)電膜

金屬薄膜:銅互連層、鋁鈍化層

聚合物基材:聚酰亞胺柔性襯底、PDMS微流控芯片

納米復(fù)合材料:碳納米管增強(qiáng)涂層、石墨烯復(fù)合電極

檢測(cè)方法

ASTM E1127-20 表面電離特性測(cè)試規(guī)范

ISO 18118:2015 電子能譜定量分析方法

GB/T 19647-2019 半導(dǎo)體材料二次離子質(zhì)譜檢測(cè)通則

ISO 15472:2010 X射線光電子能譜儀校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 30704-2014 電子探針顯微分析通用技術(shù)條件

檢測(cè)設(shè)備

Thermo Scientific ESCALAB Xi+ XPS系統(tǒng):表面元素化學(xué)態(tài)分析,結(jié)合能精度±0.1 eV

PHI 5000 VersaProbe III:三維深度剖面分析,最小束斑1 μm

CAMECA IMS 7f-auto SIMS:質(zhì)量分辨率M/ΔM > 20,000,檢出限0.1 ppb

Kratos AXIS Supra:單色化Al Kα光源,能量步長0.025 eV

Shimadzu EPMA-8050G:波長色散譜儀,元素分析范圍B~U

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。

售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析多級(jí)電離檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師

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