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二硫化鐠檢測(cè)

2025-03-18 關(guān)鍵詞:二硫化鐠測(cè)試機(jī)構(gòu),二硫化鐠測(cè)試案例,二硫化鐠測(cè)試范圍 相關(guān):
二硫化鐠檢測(cè)

二硫化鐠檢測(cè)摘要:二硫化鐠檢測(cè)是評(píng)估其理化性能及材料適用性的關(guān)鍵環(huán)節(jié),主要針對(duì)純度、晶型結(jié)構(gòu)、硫含量等核心指標(biāo)。檢測(cè)需遵循ASTM、ISO、GB/T等標(biāo)準(zhǔn),結(jié)合X射線衍射、熱重分析等技術(shù),確保材料在半導(dǎo)體、光學(xué)鍍膜等領(lǐng)域的應(yīng)用可靠性。本文系統(tǒng)闡述檢測(cè)項(xiàng)目、方法及設(shè)備配置,為行業(yè)提供技術(shù)參考。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

純度檢測(cè):鐠(Pr)含量≥99.5%,硫(S)含量33.0%-34.5%

晶型結(jié)構(gòu)分析:六方相(2H型)占比≥95%,層間距(d002)0.62-0.65nm

粒度分布:D50值1-5μm,粒徑分散度(PDI)≤0.3

熱穩(wěn)定性檢測(cè):分解溫度≥450℃,失重率≤2%(N2氛圍,25-600℃)

表面硫化物殘留:游離硫含量≤200ppm,硫酸鹽殘留≤50ppm

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體用二硫化鐠靶材

光學(xué)鍍膜涂層材料

催化劑前驅(qū)體粉末

固態(tài)電解質(zhì)中間體

高溫潤(rùn)滑劑復(fù)合材料

檢測(cè)方法

X射線衍射(XRD):ASTM E975、GB/T 23413-2009(晶型定量分析)

電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-OES):GB/T 23942-2009(元素含量測(cè)定)

同步熱分析(TGA-DSC):ISO 11358-2021、GB/T 27761-2011(熱穩(wěn)定性評(píng)價(jià))

激光粒度分析:GB/T 19077-2016(粒度分布測(cè)試)

離子色譜法(IC):GB/T 4010-2016(硫化物殘留檢測(cè))

檢測(cè)設(shè)備

X射線衍射儀:Rigaku SmartLab,配備高溫附件,精度±0.001°(2θ)

電感耦合等離子體質(zhì)譜儀:Agilent 7900 ICP-MS,檢出限≤0.01ppm

同步熱分析儀:NETZSCH STA 449 F5,溫度范圍RT-1600℃,精度±0.1μg

激光粒度分析儀:Malvern Mastersizer 3000,測(cè)量范圍0.01-3500μm

全自動(dòng)元素分析儀:Elementar vario EL cube,硫檢測(cè)精度±0.3wt%

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱:中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。

售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析二硫化鐠檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師

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