位錯消除檢測摘要:檢測項目1.位錯密度測定:測量范圍10^4-10^8cm?,精度5%2.位錯分布形態(tài)分析:包括網(wǎng)絡(luò)狀/線狀/胞狀結(jié)構(gòu)占比統(tǒng)計3.晶體取向偏差檢測:角度分辨率0.1,測量范圍0-904.位錯運(yùn)動激活能測試:溫度范圍25-1200℃,應(yīng)力分辨率0.1MPa5.晶格畸變量化:應(yīng)變靈敏度110^-4,空間分辨率50nm檢測范圍1.金屬材料:鋁合金(AA6061/7075)、鈦合金(Ti-6Al-4V)、高溫合金(Inconel718)2.半導(dǎo)體材料:單晶硅(直徑≤300mm)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(4H-S
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
1.位錯密度測定:測量范圍10^4-10^8cm?,精度5%
2.位錯分布形態(tài)分析:包括網(wǎng)絡(luò)狀/線狀/胞狀結(jié)構(gòu)占比統(tǒng)計
3.晶體取向偏差檢測:角度分辨率0.1,測量范圍0-90
4.位錯運(yùn)動激活能測試:溫度范圍25-1200℃,應(yīng)力分辨率0.1MPa
5.晶格畸變量化:應(yīng)變靈敏度110^-4,空間分辨率50nm
1.金屬材料:鋁合金(AA6061/7075)、鈦合金(Ti-6Al-4V)、高溫合金(Inconel718)
2.半導(dǎo)體材料:單晶硅(直徑≤300mm)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(4H-SiC)
3.陶瓷材料:氧化鋁(Al?O?)、氮化硅(Si?N?)、壓電陶瓷(PZT-5H)
4.復(fù)合材料:碳纖維/環(huán)氧樹脂(T800/AG80)、金屬基復(fù)合材料(SiC/Al)
5.高分子材料:超高分子量聚乙烯(UHMWPE)、聚醚醚酮(PEEK)
1.X射線衍射法:ASTME1426(相分析)、GB/T8359(殘余應(yīng)力)
2.電子背散射衍射:ISO16700(SEM操作規(guī)范)、GB/T18876(EBSD分析)
3.透射電子顯微術(shù):ASTMF1877(TEM樣品制備)、ISO21363(納米顆粒表征)
4.同步輻射拓?fù)湫g(shù):ISO21466(三維成像)、GB/T37229(高能X射線應(yīng)用)
5.化學(xué)腐蝕法:ASTME407(微觀腐蝕)、GB/T13298(金相檢驗)
1.ThermoScientificApreo2掃描電鏡:配備EDAXOctaneElite能譜儀
2.BrukerD8ADVANCEX射線衍射儀:Cu靶Kα輻射(λ=0.15406nm)
3.FEITalosF200X透射電鏡:STEM模式分辨率0.16nm
4.OxfordInstrumentsSymmetryS2EBSD系統(tǒng):采集速度3000點/秒
5.ShimadzuHMV-G21顯微硬度計:載荷范圍10gf-2kgf
6.ZeissAxioImager.M2m金相顯微鏡:5000:1動態(tài)聚焦系統(tǒng)
7.MalvernPanalyticalEmpyreanX射線平臺:三維XRD模塊
8.GatanModel656精密離子減薄儀:加速電壓1-8kV可調(diào)
9.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡:ScanAsyst自動模式
10.RigakuSmartLabSEX射線應(yīng)力分析儀:ψ角法測量精度20MPa
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。
標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。
非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析位錯消除檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細(xì)檢測項目,請咨詢在線工程師
2024-08-24
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