參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.電氣性能測試：驗證工作電壓（1.2V/1.35V）、時序參數(shù)（CL-tRCD-tRP）、I/O接口阻抗（40-60Ω）及漏電流（≤10μA）
2.信號完整性分析：測量上升/下降時間（≤0.5ns）、眼圖張開度（≥200mV）及串擾容限（≤5%）
3.兼容性驗證：包括SPD信息解析（JEDECSPDRev1.7）、XMP配置文件識別及主板適配測試（Z790/X670平臺）
4.溫度循環(huán)測試：-40℃~85℃極端溫變條件下驗證數(shù)據(jù)保持能力
5.耐久性試驗：5000次插拔壽命測試及72小時持續(xù)讀寫壓力測試

檢測范圍

1.DDR4/DDR5臺式機內(nèi)存條（288Pin/284PinUDIMM）
2.筆記本SO-DIMM內(nèi)存（260PinDDR4/262PinDDR5）
3.服務器RDIMM/LRDIMM（ECC校驗型）
4.工業(yè)級寬溫內(nèi)存（-40℃~95℃工作范圍）
5.超頻內(nèi)存模塊（XMP3.0認證）

檢測方法

1.JESD209-5B規(guī)范定義DDR5電氣特性測試流程
2.ISO/IEC17025:2017實驗室管理體系要求
3.GB/T26248-2010微機系統(tǒng)用內(nèi)存模塊通用規(guī)范
4.ASTMD3330-2018表面貼裝器件機械強度測試
5.MIL-STD-883HMethod1010溫度循環(huán)試驗標準

檢測設備

1.KeysightDSAV334A示波器（16GHz帶寬，DDR5信號完整性分析）
2.AdvantestT5591內(nèi)存測試系統(tǒng)（支持DDR5-6400協(xié)議驗證）
3.ThermoStreamT-2600三溫測試箱（-65℃~+150℃溫控精度0.5℃）
4.MemTest86ProV10.0自動化兼容性測試平臺
5.Chroma3380P電源分析儀（0.05%精度功耗測量）
6.AgilentN5227A網(wǎng)絡分析儀（10MHz-67GHz阻抗特性測試）
7|OlympusMX63金相顯微鏡（1500倍焊點微觀結構觀測）
8|ESPECEHS-411M振動試驗臺（20-2000Hz隨機振動測試）
9|X-RayXTH225斷層掃描系統(tǒng)（BGA焊球三維成像檢測）

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)