參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項(xiàng)目

1.晶格常數(shù)測定：精度0.001（XRD法）
2.缺陷密度分析：分辨率≤0.1nm（TEM法）
3.相結(jié)構(gòu)鑒定：物相識別靈敏度≥99%
4.元素分布映射：空間分辨率≤5nm（EDS/EELS）
5.晶界特性評估：取向差角測量誤差≤0.1

檢測范圍

1.半導(dǎo)體材料：單晶硅、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)
2.金屬合金：鎳基高溫合金、鈦鋁合金(TiAl)
3.陶瓷材料：氧化鋯(ZrO?)、碳化硅(SiC)
4.高分子材料：液晶聚合物(LCP)、聚酰亞胺(PI)
5.復(fù)合材料：碳纖維/環(huán)氧樹脂基體界面

檢測方法

1.ASTME975-20：X射線衍射定量相分析
2.ISO17974:2022：表面化學(xué)分析-高分辨率俄歇電子能譜
3.GB/T13305-2008：不銹鋼中α-相面積含量測定
4.ASTMF1877-20：透射電鏡樣品制備規(guī)范
5.GB/T19501-2013：電子背散射衍射分析方法

檢測設(shè)備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀：配備9kW旋轉(zhuǎn)陽極靶
2.FEINovaNanoSEM450場發(fā)射掃描電鏡：分辨率0.8nm@15kV
3.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射電鏡：點(diǎn)分辨率0.08nm
4.BrukerD8ADVANCEXRD系統(tǒng)：配備VANTEC-500二維探測器
5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測器：采集速度4000點(diǎn)/秒
6.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM：離子束加速電壓30kV
7.ZeissGeminiSEM500：集成EDS/EBSD聯(lián)用系統(tǒng)
8.ShimadzuEPMA-8050G電子探針：波長分辨率5eV
9.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平臺：配置高溫附件(1600℃)
10.HitachiHF5000透射電鏡：配備冷場發(fā)射電子槍

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)