參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項(xiàng)目

輻射屏蔽性能檢測：

• γ射線線性衰減系數(shù)：μ/cm（參照GB/T 14354-2008）、γ射線總衰減率（≥99.9%，1MeVγ射線）
• 中子慢化效率：熱中子通量降低率（%，參照ISO 8529-1）、中子吸收截面（σa/barn，25℃）

力學(xué)性能檢測：

• 彎曲強(qiáng)度：σf/MPa（參照ISO 14704-2000）、彈性模量（E/GPa）
• 抗壓強(qiáng)度：σc/MPa（參照GB/T 1965-2008）、斷裂韌性（KIC/MPa·m^1/2）
• 硬度檢測：維氏硬度（HV10，參照GB/T 4340.1-2009）、洛氏硬度（HRA）

熱穩(wěn)定性檢測：

• 熱膨脹系數(shù)：α/10^-6℃^-1（25-1000℃，參照GB/T 16535-2008）、高溫?zé)釋?dǎo)率：λ/W·m^-1·K^-1（800℃，參照ASTM C518）
• 熱震穩(wěn)定性：ΔT/℃（循環(huán)次數(shù)≥50次，參照GB/T 11346-2008）、殘余強(qiáng)度保留率（≥70%）

理化分析：

• 主晶相含量：莫來石（3Al2O3·2SiO2）、剛玉（α-Al2O3）體積分?jǐn)?shù)（%，參照GB/T 19500-2013）
• 孔隙率：閉孔率（≥95%，參照ASTM C373-2017）、氣孔尺寸分布（≤10μm，體積分?jǐn)?shù)≤3%）
• 化學(xué)組成：SiO2、Al2O3、B2O3、Fe2O3含量（wt%，±0.5%，參照GB/T 14506.28-2010）

界面結(jié)合性能檢測：

• 粘結(jié)強(qiáng)度：內(nèi)襯陶瓷與金屬外殼粘結(jié)強(qiáng)度（τ/MPa，參照GB/T 7124-2008）、界面剝離力（N/mm）
• 界面缺陷：微裂紋密度（條/mm2，參照ASTM E165-2019）、界面間隙（≤50μm）

抗腐蝕性能檢測：

• 核素浸出：Cs-137、Sr-90浸出率（g·cm^-2·d^-1，參照GB/T 7023-2008）、浸出液放射性活度（Bq/L）
• 酸堿腐蝕：H2SO4（5wt%，80℃）腐蝕速率（mm/a）、NaOH（10wt%，80℃）腐蝕速率（mm/a）
• 鹽霧腐蝕：NaCl（5wt%）鹽霧試驗(yàn)（1000h），表面腐蝕面積率（≤1%）

尺寸精度檢測：

• 內(nèi)襯厚度：偏差（±0.5mm，參照GB/T 1804-2000）、厚度均勻性（≤0.3mm/m）
• 圓度誤差：≤0.3mm（參照GB/T 1182-2008）、同軸度：≤0.2mm（參照GB/T 1184-2016）
• 表面粗糙度：Ra（≤1.6μm，參照GB/T 3505-2009）、Rz（≤6.3μm）

中子吸收性能檢測：

• 硼當(dāng)量：Beq/wt%（參照ASTM C1276-2017）、硼元素分布均勻性（±0.1wt%）
• 中子吸收效率：熱中子吸收率（%，25℃）、中子通量衰減率（%，1MeV中子）

γ射線屏蔽性能深化檢測：

• 半值層厚度：HVL/cm（Co-60源，1.25MeV，參照GB/T 12163-2012）、十分之一值層厚度（TVL/cm）
• 能譜響應(yīng)：不同能量γ射線（0.5-2.0MeV）衰減系數(shù)偏差（±5%）

長期服役性能檢測：

• 熱老化試驗(yàn)：1000℃×1000h，彎曲強(qiáng)度保留率（≥85%，參照GB/T 3074.1-2008）、質(zhì)量損失率（≤1%）
• 輻照損傷試驗(yàn)：累積劑量1×10^6Gy（γ射線），體積膨脹率（≤2%，參照ISO 17167-2014）、斷裂韌性保留率（≥70%）
• 疲勞性能：循環(huán)載荷（±10MPa，10^6次），疲勞強(qiáng)度保留率（≥80%）

檢測范圍

1. 高鋁陶瓷內(nèi)襯： 涵蓋92%~99%Al2O3陶瓷，重點(diǎn)檢測γ射線線性衰減系數(shù)（μ/cm）與熱震穩(wěn)定性（ΔT/℃，循環(huán)次數(shù)≥50次）

2. 莫來石陶瓷內(nèi)襯： 3Al2O3·2SiO2含量≥90%，側(cè)重中子慢化效率（熱中子通量降低率/%）與內(nèi)襯陶瓷與金屬外殼粘結(jié)強(qiáng)度（τ/MPa）

3. 硼化陶瓷內(nèi)襯： B4C含量≥20%，重點(diǎn)評價中子吸收截面（σa/barn）與硼元素分布均勻性（±0.1wt%）

4. 碳化硅纖維增強(qiáng)陶瓷： SiC纖維體積分?jǐn)?shù)10%~30%，側(cè)重彎曲強(qiáng)度（σf/MPa）與斷裂韌性（KIC/MPa·m^1/2）

5. 低溫?zé)Y(jié)陶瓷內(nèi)襯： 燒結(jié)溫度≤1300℃，重點(diǎn)檢測閉孔率（≥95%）與內(nèi)襯厚度偏差（±0.5mm）

6. 梯度功能陶瓷內(nèi)襯： Al2O3-SiC-B4C梯度結(jié)構(gòu)，側(cè)重界面微裂紋密度（條/mm2）與性能梯度分布（如γ射線衰減系數(shù)梯度）

7. 抗輻照陶瓷內(nèi)襯： 添加ZrO2、CeO2等氧化物（含量5%~15%），重點(diǎn)評價輻照損傷后的體積膨脹率（≤2%）與斷裂韌性保留率（≥70%）

8. 超高溫陶瓷內(nèi)襯： 熔點(diǎn)≥2000℃（如ZrB2-SiC陶瓷），側(cè)重800℃高溫?zé)釋?dǎo)率（λ/W·m^-1·K^-1）與熱膨脹系數(shù)（α/10^-6℃^-1，25-1000℃）

9. 輕量化陶瓷內(nèi)襯： 密度≤3.0g/cm3（如泡沫陶瓷、空心微珠增強(qiáng)陶瓷），重點(diǎn)檢測抗壓強(qiáng)度（σc/MPa）與中子吸收效率（熱中子吸收率/%）

10. 復(fù)雜形狀陶瓷內(nèi)襯： 異形曲面、多腔結(jié)構(gòu)（如錐形、球形內(nèi)襯），側(cè)重圓度誤差（≤0.3mm）與表面粗糙度（Ra≤1.6μm）

檢測方法

國際標(biāo)準(zhǔn)：

• ASTM C1276-2017 硼化陶瓷中子吸收性能試驗(yàn)方法
• ISO 14704-2000 陶瓷材料彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法
• ASTM C373-2017 陶瓷閉孔率測試方法
• ISO 8529-1-2019 中子慢化效率測定第1部分：熱中子通量法
• ASTM E165-2019 界面缺陷檢測指南
• ASTM C518-2017 陶瓷材料熱導(dǎo)率測試方法（熱線法）
• ISO 17167-2014 陶瓷材料輻照損傷試驗(yàn)方法

國家標(biāo)準(zhǔn)：

• GB/T 14354-2008 陶瓷材料γ射線衰減系數(shù)測定方法
• GB/T 1965-2008 陶瓷抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
• GB/T 7124-2008 膠粘劑拉伸剪切強(qiáng)度測定方法（金屬-陶瓷界面）
• GB/T 11346-2008 陶瓷材料熱震穩(wěn)定性試驗(yàn)方法（水淬法）
• GB/T 14506.28-2010 硅酸鹽巖石化學(xué)分析方法第28部分：硼、鋰、鈹、銣、銫量測定
• GB/T 12163-2012 γ射線屏蔽材料屏蔽性能測試方法
• GB/T 3074.1-2008 金屬材料 彎曲試驗(yàn) 第1部分：室溫試驗(yàn)方法（適用于纖維增強(qiáng)陶瓷）
• GB/T 1804-2000 一般公差 未注公差的線性和角度尺寸的公差
• GB/T 1182-2008 產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范（GPS） 形狀公差 形狀誤差的定義和允許值
• GB/T 3505-2009 產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范（GPS） 表面結(jié)構(gòu) 輪廓法 術(shù)語、定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

方法差異說明：國際標(biāo)準(zhǔn)ASTM C1276-2017（硼元素測定）采用ICP-OES法，檢測下限0.001wt%，相對偏差±1%；國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14506.28-2010采用AAS法，檢測下限0.01wt%，相對偏差±2%，ASTM方法精度更高但設(shè)備成本更高。ISO 14704-2000（彎曲強(qiáng)度）加載速率0.5mm/min，GB/T 1965-2008加載速率1.0mm/min，GB/T方法所得彎曲強(qiáng)度值較ISO高5%~8%，試驗(yàn)時需明確標(biāo)準(zhǔn)選取以保證數(shù)據(jù)可比性。ASTM C518-2017（熱導(dǎo)率）采用熱線法，適用于高導(dǎo)熱陶瓷（λ>10W·m^-1·K^-1）；GB/T 10294-2008采用防護(hù)熱板法，適用于低導(dǎo)熱陶瓷（λ<10W·m^-1·K^-1），兩者適用范圍不同需根據(jù)材料特性選擇。

檢測設(shè)備

1. γ射線衰減系數(shù)測試儀： XY-γ-1000（γ射線源：Co-60，能量1.25MeV；探測器：NaI(Tl)閃爍探測器；測量范圍：μ=0.1~10cm^-1；精度：±2%）

2. 中子慢化效率檢測儀： ZD-N-2000（中子源：Am-Be，中子通量1×10^6 n/cm2·s；探測器：BF3正比計數(shù)管；測量范圍：慢化效率0~100%；精度：±1%）

3. 陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)： WDW-300（最大載荷300kN；加載速率0.1~10mm/min；位移精度：±0.01mm；符合ISO 14704、GB/T 1965標(biāo)準(zhǔn)）

4. 熱震穩(wěn)定性試驗(yàn)箱： HS-1000（溫度范圍：室溫~1000℃；降溫介質(zhì)：25℃去離子水；循環(huán)次數(shù)：0~999次；溫度均勻性：±5℃）

5. 界面缺陷顯微鏡： MX-2000（放大倍數(shù)：50~2000×；分辨率：0.1μm；光源：LED冷光源；符合ASTM E165標(biāo)準(zhǔn)）

6. 核素浸出率測試儀： JL-500（浸出介質(zhì)：pH=7去離子水；溫度：25±1℃；攪拌速率：100~500rpm；檢測限：1×10^-12 g·cm^-2·d^-1）

7. 三坐標(biāo)尺寸測量儀： CMM-800（測量范圍：X=800mm，Y=600mm，Z=500mm；分辨率：0.001mm；重復(fù)精度：±0.002mm；符合GB/T 1804標(biāo)準(zhǔn)）

8. 電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀： ICP-OES-7300（波長范圍：160~800nm；檢測限：0.001wt%；相對標(biāo)準(zhǔn)偏差：±1%；符合ASTM C1276標(biāo)準(zhǔn)）

9. 熱線法熱導(dǎo)率測試儀： DRL-III（測試方法：熱線法；溫度范圍：室溫~1000℃；測量范圍：λ=0.1~100W·m^-1·K^-1；精度：±3%）

10. γ射線輻照裝置： FZ-γ-5000（γ射線源：60Co；累積劑量：1×10^4~1×10^7 Gy；劑量率：1~100 Gy/min；溫度控制：室溫~200℃）

11. 陶瓷抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)： YES-2000（最大載荷2000kN；加載速率0.5~5mm/min；壓力精度：±0.5%；符合GB/T 1965標(biāo)準(zhǔn)）

12. 表面粗糙度儀： SJ-210（測量范圍：Ra=0.01~10μm，Rz=0.05~50μm；分辨率：0.001μm；符合GB/T 3505標(biāo)準(zhǔn)）

13. 拉伸剪切強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)： LS-100（最大拉力100kN；加載速率0.5~5mm/min；位移精度：±0.01mm；符合GB/T 7124標(biāo)準(zhǔn)）

14. 閉孔率測試儀： PYC-600（測試方法：阿基米德排水法；試樣體積：1~100cm3；精度：±0.5%；符合ASTM C373標(biāo)準(zhǔn)）

15. 熱膨脹系數(shù)測試儀： DIL-402C（溫度范圍：室溫~1500℃；升溫速率：1~20℃/min；測量范圍：α=1×10^-6~20×10^-6℃^-1；精度：±0.5×10^-6℃^-1）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)